SDR60U100DRNS

更新时间： 2024-11-09 13:00:31

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页数	文件大小	规格书
2页	87K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-258AA, HERMETIC SEALED, TO-258, 3 PIN

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SDR60U100DRNS 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-258AA
包装说明：	R-XSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	应用：	ULTRA FAST RECOVERY
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-258AA
JESD-30 代码：	R-XSFM-P3	最大非重复峰值正向电流：	400 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	60 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向恢复时间：	0.055 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SDR60U100DRNS 数据手册

SDR60U080N thru SDR60U120N

and

SDR60U080P thru SDR60U120P

Solid State Devices, Inc.

14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638

Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

DESIGNER’S DATA SHEET

60 AMP

Low VF

Part Number / Ordering Information ^1/

Ultra Fast Recovery

Rectifier

__ __ __ __

SDR60

Screening ^2/

│

└

│

└

│

└

__ = Not Screened

TX = TX Level

TXV = TXV Level

S = S Level

800 -1200 Volts

50 nsec

Package Type

N = TO-258

P = TO-259

Features:

•

Ultra Fast Recovery: 45 nsec typical

High Surge Rating

Voltage/Family

080 = 800V

090 = 900V

100 = 1000V

110 = 1100V

120 = 1200V

Low Reverse Leakage Current

Low Forward Voltage Drop

Low Junction Capacitance

Hermetically Sealed Package

Gold Eutectic Die Attach available

Ultrasonic Aluminum Wire Bonds

Ceramic Seals for improved hermeticity available

TX, TXV, Space Level Screening Available Consult

Factory.^2/

Recovery Time

U = Ultra Fast

Maximum Ratings

Symbol

V_RRM

Value

Units

Volts

Peak Repetitive Reverse and

DC Blocking Voltage

SDR60U080

SDR60U090

SDR60U100

SDR60U110

SDR60U120

800

900

1000

1100

1200

V_RWM

V_R

Average Rectified Forward Current

Amps

(Resistive Load, 60 Hz Sine Wave, T_A= 25ºC)^3/4/

Peak Surge Current

I_FSM

(8.3 ms Pulse, Half Sine Wave, Allow Junction to Reach Equilibrium

500

Between Pulses, T_A= 25ºC) ^3/4/

Operating & Storage Temperature

Top & Tstg

R_θJE

ºC

-65 to +200

0.75

Maximum Thermal Resistance

ºC/W

Junction to End Tab^3/

TO-258 (N)

TO-259 (P)

1/ For ordering information, price, operating curves, and availability - Contact

factory.

2/ Screening based on MIL-PRF-19500. Screening flows available on request.

3/ Pins 2 & 3 connected.

4/ Limited by wirebonding

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DATA SHEET #: RC0144A

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与SDR60U100DRNS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SDR60U100DRP	SSDI	获取价格	60 A, 1000 V Low VF Ultrafast Recovery Centertap Rectifier
SDR60U100DRPS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-259, HERMETIC SEALED P
SDR60U100DRPTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-259, HERMETIC SEALED P
SDR60U100N	SSDI	获取价格	60 A, 1000 V Low VF Ultrafast Recovery Rectifier
SDR60U100NS	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-258AA, HERMETIC SEALED
SDR60U100NTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-258AA, HERMETIC SEALED
SDR60U100P	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-259, HERMETIC SEALED P
SDR60U100PTX	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-259, HERMETIC SEALED P
SDR60U100PTXV	SSDI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 1000V V(RRM), Silicon, TO-259, HERMETIC SEALED P
SDR60U110	SSDI	获取价格	Low VF Ultra Fast Recovery Rectifier

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