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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SDM10U45-76K
SDM10U45-76K PDF预览

SDM10U45-76K

更新时间： 2024-11-08 21:54:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 122K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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SDM10U45-76K 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.32Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

SDM10U45-76K 数据手册

 浏览型号SDM10U45-76K的Datasheet PDF文件第2页 
SPICE MODEL: SDM10U45  
SDM10U45  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Pb  
Lead-free  
Features  
·
·
Low Forward Voltage Drop  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
·
·
·
·
Ideal for low logic level applications  
Low Capacitance  
CATHODE MARK  
SOD-523  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
Dim  
A
Min  
1.50  
1.10  
0.25  
0.70  
0.10  
0.55  
Max  
1.70  
1.30  
0.35  
0.90  
0.20  
0.65  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
B
Mechanical Data  
C
·
·
Case: SOD-523  
D
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
MARKING CODE  
E
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: Cathode Band  
G
E
C
D
G
All Dimensions in mm  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Alloy 42  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
·
·
·
Marking Code: LJ  
Ordering Information: See Last Page  
Weight: 0.002 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
V
VRM  
VR  
Maximum Peak Reverse Voltage  
Reverse Voltage  
45  
40  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
28  
100  
V
Average Forward Current  
mA  
mA  
A
IFM  
Maximum (Peak) Forward Current  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t £ 10ms  
Operating and Storage Temperature Range  
300  
IFSM  
1
Tj, TSTG  
-40 to +125  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 2)  
Symbol  
Value  
150  
Unit  
mW  
Pd  
RqJA  
Thermal Resistance, Ambient Air (Note 2)  
667  
°C/W  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Conditions  
V(BR)R  
IR = 100mA  
Reverse Breakdown Voltage (Note 3)  
30  
¾
¾
V
IF = 1.0mA  
IF = 15mA  
IF = 50mA  
IF = 100mA  
280  
360  
470  
580  
¾
¾
VF  
Forward Voltage Drop  
¾
mV  
550  
800  
IR  
VR = 25V  
Reverse Current (Note 3)  
Total Capacitance  
¾
¾
¾
1.0  
15  
mA  
CT  
VR = 10V, f = 1.0 MHz  
7
pF  
Note: 1. No purposefully added lead.  
2. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website  
at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
3. Short duration pulse test used so as to minimize self-heating effect.  
DS30394 Rev. 6 - 2  
1 of 2  
SDM10U45  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12

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