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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SDM10U45-7-F
SDM10U45-7-F PDF预览

SDM10U45-7-F

更新时间： 2024-11-09 12:56:31
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 63K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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SDM10U45-7-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：14 weeks风险等级：5.3
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

SDM10U45-7-F 数据手册

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SDM10U45  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
Low Forward Voltage Drop  
•
•
Case: SOD-523  
Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound,  
Note 5. UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminal Connections: Cathode Band  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Alloy 42  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 2  
Ordering Information: See Page 2  
Weight: 0.002 grams (approximate)  
Guard Ring Construction for Transient Protection  
Ideal for Low Logic Level Applications  
Low Capacitance  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
"Green" Device, Notes 4 and 5  
•
•
•
•
•
•
Top View  
Maximum Ratings @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Maximum Peak Reverse Voltage  
Reverse Voltage  
Symbol  
Value  
45  
Unit  
V
VRM  
VR  
40  
V
RMS Reverse Voltage  
28  
V
VR(RMS)  
IO  
Average Forward Current  
100  
300  
1
mA  
mA  
A
Maximum (Peak) Forward Current  
IFM  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
@ t ≤ 10ms  
IFSM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 2)  
Symbol  
Value  
150  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
PD  
Thermal Resistance, Ambient Air (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
667  
Rθ  
JA  
-40 to +125  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Conditions  
Reverse Breakdown Voltage (Note 3)  
30  
V
V(BR)R  
⎯
⎯
IR = 100μA  
IF = 1.0mA  
IF = 15mA  
IF = 50mA  
IF = 100mA  
280  
360  
470  
580  
⎯
⎯
550  
800  
Forward Voltage Drop  
mV  
VF  
⎯
Reverse Current (Note 3)  
Total Capacitance  
1.0  
15  
IR  
⎯
⎯
⎯
μA  
VR = 25V  
4
pF  
CT  
VR = 10V, f = 1.0 MHz  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout, which can be found on our website at  
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf. @ TA = 25°C.  
3. Short duration pulse test used so as to minimize self-heating effect.  
4. Diodes Inc.'s "Green" Policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
5. Product manufactured with date code 0627 (week 27, 2006) and newer are built with Green Molding Compound. Product manufactured prior to date  
code 0627 are built with Non-Green Molding Compound and may contain Halogens or Sb2O3 Fire Retardants.  
1 of 3  
www.diodes.com  
January 2009  
© Diodes Incorporated  
SDM10U45  
Document number: DS30394 Rev. 12 - 2  
123

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