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SDM10P45 PDF预览

SDM10P45

更新时间： 2024-09-21 22:08:03
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 63K
描述
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE

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SDM10P45 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.87其他特性：FAST SWITCHING
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.45 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.12 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SDM10P45 数据手册

 浏览型号SDM10P45的Datasheet PDF文件第2页 
SDM10P45  
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE  
Features  
·
·
·
·
Ultra-Small Surface Mount Package  
Low Forward Voltage Drop  
Fast Switching  
PN Junction Guard Ring for Transient and  
ESD Protection  
SOT-523  
TOP VIEW  
Dim Min Max Typ  
A
A
B
C
D
G
H
J
0.15 0.30 0.22  
0.75 0.85 0.80  
1.45 1.75 1.60  
C
B
¾
¾
0.50  
Mechanical Data  
G
H
0.90 1.10 1.00  
1.50 1.70 1.60  
0.00 0.10 0.05  
0.60 0.80 0.75  
0.10 0.30 0.22  
0.10 0.20 0.12  
0.45 0.65 0.50  
·
·
·
·
Case: SOT-523, Molded Plastic  
Case Material UL Flammability Rating: 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
K
J
M
N
K
L
L
D
·
·
·
·
Polarity: See Diagram  
M
N
a
Marking: LG (See Page 2)  
Weight: 0.002 grams (approx.)  
Ordering Information, See Page 2  
0°  
8°  
¾
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
45  
VR(RMS)  
IFM  
RMS Reverse Voltage  
40  
100  
V
mA  
A
Forward Continuous Current (Note 1)  
Forward Surge Current  
IFSM  
@ t < 8.3ms  
1.0  
Pd  
Power Dissipation (Note 1)  
120  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
833  
Tj , TSTG  
-40 to +125  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
V(BR)R  
Reverse Breakdown Voltage (Note 2)  
IR = 100mA  
45  
¾
¾
¾
IF = 10mA  
IF = 50mA  
¾
¾
370  
470  
450  
600  
VF  
Forward Voltage (Note 2)  
mV  
VR = 10V  
IR  
Reverse Leakage Current (Note 2)  
Total Capacitance  
¾
¾
0.07  
6.0  
1.0  
mA  
VR = 10V, f = 1.0MHz  
CT  
¾
pF  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout, which can be found on our website  
at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. Short duration test pulse to minimize self-heating effect.  
DS30287 Rev. 4 - 2  
1 of 2  
SDM10P45  
www.diodes.com  
12

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