5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP8,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 数据保留时间-最小值： | 10 |
| 耐久性： | 10000 Write/Erase Cycles | I2C控制字节： | 1010MMDR |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 8192 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 端子数量： | 8 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP8,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 串行总线类型： | I2C |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.02 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SDA2586-5 | INFINEON |
获取价格 |
EEPROM, 1KX8, Serial, NMOS, PDIP8, |
|
| SDA25X16-5 | INFINEON |
获取价格 |
EEPROM, 128X8, Serial, NMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 |
|
| SDA25X16-5A2G | INFINEON |
获取价格 |
Memory IC |
|
| SDA25X16A2G | INFINEON |
获取价格 |
EEPROM, 128X8, Serial, NMOS, PDSO8 |
|
| SDA25X26-5 | INFINEON |
获取价格 |
EEPROM, 256X8, Serial, NMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 |
|
| SDA25X86 | INFINEON |
获取价格 |
NONVOLATILE MEMORY 8-KBIT EPROM WITH IC BUS INTERFACE |
|
| SDA25X86-5 | INFINEON |
获取价格 |
EEPROM, 1KX8, Serial, NMOS, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 |
|
| SDA262EF-3 | SSDI |
获取价格 |
50 AMPS 600 - 1000 VOLTS FAST RECOVERY THREE PHASE BRIDGE |
|
| SDA262FF-3 | SSDI |
获取价格 |
50 AMPS 600 - 1000 VOLTS FAST RECOVERY THREE PHASE BRIDGE |
|
| SDA262GF-3 | SSDI |
获取价格 |
50 AMPS 600 - 1000 VOLTS FAST RECOVERY THREE PHASE BRIDGE |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
