是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | HERMETIC SEALED PACKAGE-4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.58 |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 外壳连接: | SUBSTRATE |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 0.05 A | 最大漏源导通电阻: | 70 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 0.5 pF |
JEDEC-95代码: | TO-72 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
SD215DE | Linear Systems | N-CHANNEL LATERAL DMOS SWITCH ZENER PROTECTED |
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SD215DE | CALOGIC | High-Speed Analo N-Channel DMOS FETs |
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SD215DE-1 | VISHAY | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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SD215DE-2 | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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SD215DE-LF | CALOGIC | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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SD215DE-M | CALOGIC | 暂无描述 |
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