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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.16 |
| 外壳连接： | SUBSTRATE | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.05 A |
| 最大漏源导通电阻： | 70 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 0.5 pF | JEDEC-95代码： | TO-206AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SD215DE-2 | VISHAY | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SD215DE-LF | CALOGIC | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SD215DE-M | CALOGIC | 暂无描述 |
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| SD215UF1000B75 | SENSITRON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, Silicon, DIE |
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| SD215UF1000C75 | SENSITRON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, Silicon, DIE |
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| SD215UF150A50 | SENSITRON | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, Silicon, DIE |
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