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SD215DE-2 PDF预览

SD215DE-2

更新时间： 2024-11-11 20:11:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 50K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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SD215DE-2 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：BCY
包装说明：,针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.17
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.05 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：125 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SD215DE-2 数据手册

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SD211DE-2/213DE-2/215DE-2  
Vishay Siliconix  
N-Channel Lateral DMOS FETs  
(Available Only In Extended Hi-Rel Flow)  
PRODUCT SUMMARY  
Part Number  
V(BR)DS Min (V)  
VGS(th) Max (V)  
rDS(on) Max (W)  
Crss Max (pF)  
tON Max (ns)  
SD211DE-2  
SD213DE-2  
SD215DE-2  
30  
10  
20  
1.5  
1.5  
1.5  
45 @ V = 10 V  
0.5  
0.5  
0.5  
2
2
2
GS  
45 @ V = 10 V  
GS  
45 @ V = 10 V  
GS  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D Ultra-High Speed Switching—tON: 1 ns  
D Ultra-Low Reverse Capacitance: 0.2 pF  
D Low Guaranteed rDS @ 5 V  
D High Speed System Performance  
D Low Insertion Loss at High Frequencies  
D Low Transfer Signal Loss  
D Fast Analog Switch  
D Fast Sample-and-Holds  
D Pixel-Rate Switching  
D DAC Deglitchers  
D Low Turn-On Threshold Voltage  
D N-Channel Enhancement Mode  
D Simple Driver Requirement  
D Single Supply Operation  
D High-Speed Driver  
DESCRIPTION  
The SD211DE-2 series consists of enhancement- mode  
MOSFETs designed for high speed low-glitch switching in  
audio, video, and high-frequency applications. The  
SD211DE-2 may be used for "5-V analog switching or as a  
high speed driver of the SD214DE-2. The SD214DE-2 is  
normally used for "10-V analog switching. These MOSFETs  
utilize lateral construction to achieve low capacitance and  
ultra-fast switching speeds. An integrated Zener diode  
provides ESD protection. These devices feature a poly-silicon  
gate for manufacturing reliability.  
The SD211DE/213DE/215DE are available only in the “–2”  
extended hi-rel flow. The Vishay Siliconix “–2” flow complies  
with the requirements of MIL-PRF-19500 for JANTX discrete  
devices.  
TO-206AF  
(TO-72)  
Body  
Substrate  
(Case)  
S
1
2
4
3
D
G
Top View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Gate-Drain, Gate-Source Voltage  
(SD211DE-2) . . . . . . . . . . . . . . –30/25 V  
(SD213DE-2) . . . . . . . . . . . . . –15/25 V  
(SD215DE-2) . . . . . . . . . . . . . –25/30 V  
Drain-Substrate Voltage  
(SD211DE-2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V  
(SD213DE-2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V  
(SD215DE-2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 V  
Gate-Substrate Voltage (Derate 3 mW/_C above 25_C)  
Source-Substrate Voltage  
(SD211DE-2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V  
(SD213DE-2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 V  
(SD215DE-2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 V  
(SD211DE-2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3/25 V  
(SD213DE-2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3/25 V  
(SD215DE-2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3/30 V  
Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA  
Drain-Source Voltage  
Source-Drain Voltage  
(SD211DE-2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V  
(SD213DE-2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 V  
(SD215DE-2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 V  
1
Lead Temperature ( / ” from case for 10 seconds) . . . . . . . . . . . . . . . . 300_C  
16  
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 to 150_C  
Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55 to 125_C  
Power Dissipation (Derate 3 mW/_C above 25_C) . . . . . . . . . . . . . . . . 300 mW  
(SD211DE-2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 V  
(SD213DE-2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 V  
(SD215DE-2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 V  
Applications Information—See Applications Note AN502  
Document Number: 70295  
S-02889—Rev. G, 21-Dec-00  
www.vishay.com  
1
123456

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与SD215DE-2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SD215DE-LF CALOGIC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SD215DE-M CALOGIC

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 		暂无描述
SD215UF1000B75 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, Silicon, DIE
SD215UF1000C75 SENSITRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 70A, Silicon, DIE
SD215UF150A50 SENSITRON

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SD215UF300A60 SENSITRON

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