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SD1444

更新时间: 2024-11-19 22:43:27
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美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管射频微波
页数 文件大小 规格书
5页 496K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS 450-512 MHz CLASS C, MOBILE APPLICATIONS

SD1444 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.37最大集电极电流 (IC):0.4 A
基于收集器的最大容量:15 pF集电极-发射极最大电压:16 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-39
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SD1444 数据手册

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