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SD125SC150B PDF预览

SD125SC150B

更新时间： 2024-11-07 04:05:19
品牌 Logo 应用领域
SENSITRON /
页数 文件大小 规格书
3页 185K
描述
SILICON SCHOTTKY RECTIFIER DIE Very Low Forward Voltage Drop

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SD125SC150B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DIE
包装说明：S-XXUC-N2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.40风险等级：5.78
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：S-XXUC-N2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：280 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：15 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：UNCASED CHIP峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SD125SC150B 数据手册

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SD125SC150A/B/C  
SENSITRON  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
DATA SHEET 885, REV. B  
SILICON SCHOTTKY RECTIFIER DIE  
Very Low Forward Voltage Drop  
Applications:  
• Switching Power Supply • Converters • Free-Wheeling Diodes • Polarity Protection Diode  
Features:  
•
Soft Reverse Recovery at Low and High Temperature  
Very Low Forward Voltage Drop  
Low Power Loss, High Efficiency  
•
•
•
•
•
•
High Surge Capacity  
Guard Ring for Enhanced Durability and Long Term Reliability  
Guaranteed Reverse Avalanche Characteristics  
Electrically / Mechanically Stable during and after Packaging  
Maximum Ratings(1):  
Characteristics  
Symbol  
VRWM  
IF(AV)  
Condition  
-
50% duty cycle, rectangular  
wave form  
Max.  
150  
15  
Units  
V
A
Peak Inverse Voltage  
Max. Average Forward  
Current  
Max. Peak One Cycle Non-  
Repetitive Surge Current  
Max. Junction Temperature  
IFSM  
8.3 ms, half Sine wave  
280  
A
TJ  
Tstg  
-
-
-65 to +200  
-65 to +200  
°C  
°C  
Max. Storage Temperature  
Electrical Characteristics(1):  
Characteristics  
Max. Forward Voltage Drop  
Symbol  
VF1  
Condition  
@ 15A, Pulse, TJ = 25 °C  
@ 15A, Pulse, TJ = 125 °C  
@VR = 150V, Pulse,  
TJ = 25 °C  
Max.  
0.84  
0.68  
500  
Units  
V
V
VF2  
IR1  
Max. Reverse Current  
µA  
mA  
pF  
IR2  
CT  
@VR = 150V, Pulse,  
TJ = 125 °C  
8
Max. Junction Capacitance  
(1) in SHD package  
500  
@VR = 5V, TC = 25 °C  
fSIG = 1MHz,  
VSIG = 50mV (p-p)  
• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729-4681 ꢀ (631) 586-7600 FAX (631) 242-9798 •  
• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SD125SC150C SENSITRON

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 		SILICON SCHOTTKY RECTIFIER DIE Very Low Forward Voltage Drop
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