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SD103AW-D0RFG

更新时间： 2024-11-29 01:21:19
品牌 Logo 应用领域
TSC 瞄准线光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 200K
描述
Low VF SMD Schottky Barrier Diode

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SD103AW-D0RFG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.58其他特性：LOW POWER LOSS
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.35 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.4 W最大重复峰值反向电压：40 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30

SD103AW-D0RFG 数据手册

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SD103AW thru SD103CW  
Taiwan Semiconductor  
Small Signal Product  
Low VF SMD Schottky Barrier Diode  
FEATURES  
- Low power loss, high current capability, low VF  
- Surface device type mounting  
- Moisture sensitivity level 1  
- Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate  
- Packing code with suffix "G" means  
green compound (halogen-free)  
SOD-123  
MECHANICAL DATA  
- Case: SOD-123 small outline plastic package  
- Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0  
- Terminal: Matte tin plated, lead free,  
solderable per MIL-STD-202, Method 208 guar  
- High temperature soldering guaranteed : 260°C/10s  
- Polarity: Indicated by cathode band  
- Weight: 0.01 g (approximately)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SD103AW SD103BW SD103CW  
SYMBOL  
PD  
UNIT  
mW  
V
Power Dissipation  
400  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Reverse Voltage  
VRRM  
VR  
40  
28  
30  
21  
20  
14  
V
Mean Forward Current @ TL = 100°C  
Repetitive Peak Forward Surge Current  
Thermal Resistance ( Junction to Ambient )  
Junction Temperature  
IO  
350  
mA  
IFRM  
RθJA  
TJ  
1.5  
@ t ≦ 1.0 s  
A
oC/W  
oC  
300  
125  
oC  
Storage Temperature Range  
TSTG  
-65 to +125  
PARAMETER  
MIN  
40  
TYP  
MAX  
SYMBOL  
Units  
SD103AW IR = 10 μA  
SD103BW IR = 10 μA  
SD103CW IR = 10 μA  
IF = 20 mA  
V(BR)  
Reverse Breakdown Voltage  
30  
-
-
V
20  
0.37  
0.60  
VF  
Forward Voltage  
-
V
-
IF = 200 mA  
SD103AW VR = 30 V  
SD103BW VR = 20 V  
SD103CW VR = 10 V  
VR = 0 , f = 1.0 MHz  
IR  
Reverse Leakage Current  
Junction Capacitance  
-
-
5
μA  
CJ  
50  
pF  
Document Number: DS_S1411004  
Version: C14  
12345

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与SD103AW-D0RFG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SD103AW-E3-18 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.35A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
SD103AWG TC

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 		SOD-123G
SD103AW-G VISHAY

获取价格

 		For general purpose applications
SD103AW-G, SD103BW-G, SD103CW-G VISHAY

获取价格

 		Small Signal Schottky Diodes
SD103AW-GS08 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE
SD103AWHE3 MCC

获取价格

 		Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn;
SD103AWL-CA2-R UTC

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER SWITCHING DIODE
SD103AWL-CC2-R UTC

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER SWITCHING DIODE
SD103AWQ YANGJIE

获取价格

 		SOD-123
SD103AW-Q1 ANBON

获取价格

 		SOD-123

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