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SD101C PDF预览

SD101C

更新时间： 2024-11-09 04:32:35
品牌 Logo 应用领域
EIC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 37K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODES

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SD101C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75Is Samacsys：N
二极管类型：RECTIFIER DIODE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SD101C 数据手册

 浏览型号SD101C的Datasheet PDF文件第2页 
SCHOTTKY BARRIER DIODES  
SD101A - SD101C  
DO - 35 Glass  
(DO-204AH)  
FEATURES :  
• For general purpose applications  
• The LL101 series is a metal-on-silicon Schottky  
barrier device which is protected by a PN junction  
guard ring.  
• The low forward voltage drop and fast switching  
make it ideal for protection of MOS devices,  
steering, biasing and coupling diodes for fast  
switching and low logic level applications.  
• These diodes are also available in the MiniMELF case  
with type designations LL101A thru LL101C.  
• Pb / RoHS Free  
1.00 (25.4)  
0.079(2.0 )max.  
min.  
0.150 (3.8)  
Cathode  
max.  
Mark  
1.00 (25.4)  
0.020 (0.52)max.  
min.  
MECHANICAL DATA :  
Case: DO-35 Glass Case  
Weight: approx. 0.13g  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
Maximum Ratings and Thermal Characteristics (Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.)  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
SD101A  
SD101B  
SD101C  
60  
50  
VRRM  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
V
40  
2
IFSM  
PD  
Maximum Single Cycle Surge 10ms Square Wave  
Power Dissipation (Infinite Heatsink)  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air  
Junction Temperature  
A
mW  
°C/mW  
°C  
400(1)  
0.3(1)  
Rq  
JA  
125(1)  
TJ  
TS  
-55 to + 150 (1)  
Storage temperature range  
°C  
Note: (1) Valid provided that leads at a distance of 4mm from case are kept at ambient temperature.  
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)  
Test Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Parameter  
Symbol  
SD101A  
SD101B  
SD101C  
SD101A  
SD101B  
SD101C  
SD101A  
SD101B  
SD101C  
SD101A  
SD101B  
SD101C  
60  
50  
40  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V(BR)R  
IR = 10 mA  
Reverse Breakdown Voltage  
V
VR = 50 V  
VR = 40 V  
VR = 30 V  
200  
200  
200  
0.41  
0.4  
0.39  
1.0  
0.95  
0.9  
IR  
Reverse Current  
nA  
IF = 1mA  
VF  
Forward Voltage Drop  
V
IF = 15mA  
-
-
IF = IR = 5mA ,  
recover to 0.1IR  
Reverse Recovery Time  
Trr  
-
-
1
ns  
Page 1 of 2  
Rev. 02 : March 24, 2005  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SD101C/D7 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 40V V(RRM), Silicon, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN
SD101C/D8 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 40V V(RRM), Silicon, DO-204AH, GLASS, DO-35, 2 PIN
SD101C-A DIODES

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER DIODE
SD101C-AP MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 40V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PA
SD101CL BL Galaxy Electrical

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 		Schottky Barrier Diode
SD101CL BL Galaxy Electrical

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 		0.015A,40V,Surface Mount Small Signal Schottky Diodes
SD101C-T DIODES

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SD101C-TAP VISHAY

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 		Small Signal Schottky Diodes
SD101C-TR VISHAY

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 		Small Signal Schottky Diodes
SD101CW RECTRON

获取价格

 		SMALL SIGNAL DIODE VOLTAGE RANGE 40 Volts

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