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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SD101C-AP
SD101C-AP PDF预览

SD101C-AP

更新时间： 2024-01-03 23:46:35
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 整流二极管小信号肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 40V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS PACKAGE-2

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SD101C-AP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.92
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.39 VJESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：2 A元件数量：1
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.015 A
最大重复峰值反向电压：60 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SD101C-AP 数据手册

 浏览型号SD101C-AP的Datasheet PDF文件第2页 
SD101A  
THRU  
SD101C  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
l
l
l
Low Reverse Recovery Time  
Low Reverse Capacitance  
Low Forward Voltage Drop  
Small Signal  
Schottky Diodes  
l Guard Ring Construction for Transient Protection  
Mechanical Data  
l Case: DO-35, Glass  
DO-35  
l Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
l Polarity: Indicated by Cathode Band  
Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified  
D
Characteristic  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
Symbol SD101A SD101B SD101C  
VRRM  
VRWM  
VR  
60V  
42V  
50V  
40V  
28V  
A
Cathode  
Mark  
VR(RMS)  
RMS Reverse Voltage  
35V  
B
Maximum sigle cycle surge 10us  
square wave  
IFSM  
2.0A  
D
Power Dissipation(Note 1)  
Pd  
400mW  
Thermal Resistance, Junction to  
Ambient  
R
300K/W  
125oC  
C
Junction Tmperature  
Tj  
Operation/Storage Temp. Range  
TSTG  
-55 to +150oC  
Electrical Characteristics @ 25oC Unless Otherwise Specified  
Charateristic  
Leakage Current  
Symbol Max  
Test Condition  
VR=50V  
DIMENSIONS  
SD101A  
SD101B  
SD101C  
200nA  
INCHES  
MIN  
---  
---  
---  
MM  
MIN  
VR=40V  
200nA  
IR  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.166  
.079  
.020  
---  
MAX  
4.2  
NOTE  
200nA VR=30V  
---  
---  
2.00  
.52  
---  
Maximum Forward SD101A  
Voltage Drop SD101B  
SD101C  
0.41V  
0.4V  
---  
1.000  
25.40  
IF=1mA  
IF=15mA  
0.39V  
1V  
VF  
SD101A  
SD101B  
SD101C  
0.95V  
0.9V  
Junction Cap. SD101A  
SD101B  
2.0pF  
2.1pF  
2.2pF  
Cj  
trr  
VR=0V, f=1.0MHz  
SD101C  
IF=IR=50mA, recover to  
200mA/0.1IR  
Reverse Recovery Time  
1ns  
Note: 1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
www.mccsemi.com  
12

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