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SCS230KE2

更新时间： 2024-11-05 01:22:47

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描述
SiC Schottky Barrier Diode

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SCS230KE2 数据手册

SCS230KE2

Datasheet

SiC Schottky Barrier Diode

Outline

TO-247

V_R

I_F

1200V

15A/30A*

Q_C

51nC

(3)

*(Per leg / Both legs)

(2)

(1)

Features

Inner circuit

1) Shorter recovery time

2) Reduced temperature dependence

3) High-speed switching possible

(1) Anode

(2) Cathode

(3) Anode

(1) (2) (3)

Packaging specifications

Packaging

Tube

Reel size (mm)

Construction

Tape width (mm)

Type

Silicon carbide epitaxial planer type

Basic ordering unit (pcs)

Packing code

Marking

SCS230KE2

Absolute maximum ratings (Tj = 25°C)

Parameter

Symbol

V_RM

V_R

Value

1200

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Continuous forward current^*7

15/30*¹

65/130*²

240/480*³

49/98*⁴

I_F

Surge no repetitive forward current^*7

I_FSM

Repetitive peak forward current^*7

Total power disspation^*7

62/120*⁵

180/360*⁶

175

I_FRM

P_D

°C

Junction temperature

Range of storage temperature

Tstg

55 to 175

*1 Tc=139°C/Tc=139°C *2 PW=8.3ms sinusoidal, Tj=25°C *3 PW=10s square, Tj=25°C

*4 PW=8.3ms sinusoidal, Tj=150°C *5 Tc=100°C, Tj=150°C, Duty cycle=10%

*6 Tc=25°C *7 Per leg / Both legs

www.rohm.com

2017.06 - Rev.C

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