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SBM1040

更新时间： 2024-10-27 22:22:19
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
3页 66K
描述
10A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SBM1040 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Not Recommended
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.51 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大重复峰值反向电压：40 V
最大反向电流：300 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SBM1040 数据手册

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SBM1040  
10A LOW VF SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
POWERMITEâ3  
Features  
·
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
·
·
·
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
High Max Junction Temperature Rating  
Very Low Forward Voltage Drop  
Very Low Leakage Current  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
POWERMITEâ3  
E
A
Min  
4.03  
6.40  
Max  
4.09  
6.61  
Dim  
A
G
P
3
B
C
.889 NOM  
1.83 NOM  
1.10 1.14  
.178 NOM  
H
J
D
B
E
·
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
G
H
1
2
5.01  
5.17  
4.43  
M
Mechanical Data  
J
4.37  
D
K
K
.178 NOM  
·
·
Case: POWERMITEâ3, Molded Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Polarity: See Diagram  
Weight: 0.072 grams (approx.)  
Marking information: See sheet 3  
C
C
L
L
.71  
.36  
.77  
.46  
M
P
PIN 1  
PIN 2  
PIN 3, BOTTOMSIDE  
HEAT SINK  
·
·
·
1.73  
1.83  
All Dimensions in mm  
Note:  
Pins 1 & 2 must be electrically  
connected at the printed circuit board.  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Value  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
40  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
28  
10  
V
A
Average Rectified Output Current (see also Figure 4)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
IFSM  
150  
A
(JEDEC Method)  
@TC = 88°C  
RqJS  
Tj  
Typical Thermal Resistance Junction to Soldering Point  
Operating Temperature Range  
2.5  
°C/W  
°C  
-65 to +150  
-65 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
V(BR)R  
IR = 1mA  
Reverse Breakdown Voltage (Note 1)  
40  
¾
¾
V
IF = 8A, TS  
=
25°C  
¾
¾
¾
0.45  
¾
0.49  
0.41  
0.51  
VFM  
IF = 8A, TS = 125°C  
IF = 10A, TS 25°C  
Forward Voltage (Note 1)  
V
=
0.47  
TS  
= 25°C, VR = 35V  
¾
¾
0.1  
0.3  
25  
IRM  
Cj  
mA  
pF  
Peak Reverse Current (Note 1)  
Junction Capacitance  
TS = 100°C, VR = 35V  
12.5  
f = 1.0MHz, VR = 4.0V DC  
¾
700  
¾
Notes:  
1. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
DS30255 Rev. F-2  
1 of 3  
SBM1040  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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