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SBLF25L25CT-HE3/45

更新时间： 2024-10-27 14:35:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
5页	143K
描述
DIODE 12.5 A, 25 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN, Rectifier Diode

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SBLF25L25CT-HE3/45 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

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SBL(F,B)25L20CT thru SBL(F,B)25L30CT

Vishay General Semiconductor

Dual Low V Common Cathode Schottky Rectifier

FEATURES

ITO-220AB

TO-220AB

• Low power loss, high efficiency

• Very low forward voltage drop

• High forward surge capability

• High frequency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF

maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

SBL25LxxCT

SBLF25LxxCT

• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB and

ITO-220AB package)

PIN 1

PIN 2

CASE

PIN 1

PIN 2

PIN 3

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TO-263AB

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage, high frequency inverters,

switching mode power supplies, freewheeling diodes,

OR-ing diodes, dc-to-dc converters and polarity

protection application.

SBLB25LxxCT

PIN 1

PIN 2

HEATSINK

MECHANICAL DATA

Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class

1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade

(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2

whisker test

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

12.5 A x 2

20 V to 30 V

180 A

V_F

0.39 V

T_Jmax.

150 °C

Polarity: As marked

Mounting Torque: 10 in-lbs maximum

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

SBL25L20CT

SBL25L25CT

SBL25L30CT

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

Maximum average forward rectified

current at T_C= 95 °C

total device

per diode

12.5

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load per diode

I_FSM

T_J, T_STG

V_AC

180

- 55 to + 150

1500

°C

Operating junction and storage temperature range

Isolation voltage (ITO-220AB only)

from terminal to heatsink t = 1 min

Document Number: 88731

Revision: 08-Apr-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

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