5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS |
| 应用： | EFFICIENCY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.6 V |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 250 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 10 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 40 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SBLB1040-E3/45 | VISHAY |
类似代替  |
Schottky Barrier Rectifier |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SBLB1040HE3/45 | VISHAY |
获取价格 |
Schottky Barrier Rectifier |
|
| SBLB1040-HE3/45 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R |
|
| SBLB1040HE3/81 | VISHAY |
获取价格 |
Schottky Barrier Rectifier |
|
| SBLB1040-HE3/81 | VISHAY |
获取价格 |
DIODE 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R |
|
| SBLB10L25 | VISHAY |
获取价格 |
Low VF Schottky Barrier Rectifier |
|
| SBLB10L25/31 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 10A, 25V V(RRM), |
|
| SBLB10L25/45 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 10A, 25V V(RRM), |
|
| SBLB10L25/81 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 10A, 25V V(RRM), |
|
| SBLB10L25-45 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 25V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC |
|
| SBLB10L25-81 | VISHAY |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 25V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
