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SBFP540M PDF预览

SBFP540M

更新时间： 2024-10-01 03:33:31
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体放大器晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 64K
描述
UHF to C Band Low Noise Amplifier, Low Phase Noise Oscillation Applications

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SBFP540M 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.88
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.08 A
基于收集器的最大容量：0.24 pF集电极-发射极最大电压：4.5 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
最高频带：C BANDJESD-30 代码：R-PDSO-F4
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：29000 MHz
Base Number Matches：1

SBFP540M 数据手册

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Ordering number : ENN7494A  
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor  
UHF to C Band Low Noise Amplifier,  
Low Phase Noise Oscillation Applications  
SBFP540M  
Features  
•
Low noise : NF=0.9dB typ (f=1.8GHz).  
•
High cut-off frequency : f =20GHz typ (V =1V).  
CE  
T
: f =29GHz typ (V =4V).  
T
CE  
•
•
Low voltage operation.  
High Gain : S21e 2=18.5dB typ (f=1.8GHz).  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
14  
4.5  
1
V
V
I
80  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector Dissipation  
P
250  
150  
C
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
200  
70  
I
V
CB  
V
EB  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
V
CB  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
=5V, I =0  
nA  
CBO  
E
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
I
=1V, I =0  
µA  
EBO  
C
h
=3.5V, I =20mA  
50  
22  
200  
FE  
f (1)  
C
=1V, I =10mA  
20  
29  
GHz  
GHz  
pF  
T
C
Gain-Bandwidth Product  
Reverse Transfer Capacitance  
Forward Transfer Gain  
f (2)  
T
=4V, I =50mA  
C
Cre  
=2V, f=1MHz  
0.14  
17.5  
18.5  
0.9  
0.24  
1.3  
S21e 2(1)  
S21e 2(2)  
NF  
=1V, I =10mA, f=1.8GHz  
C
dB  
=2V, I =20mA, f=1.8GHz  
C
16  
dB  
Noise Figure  
=2V, I =5mA, f=1.8GHz  
dB  
C
Marking : MC  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
O2203 TS IM / 62503 TS IM TA-100357  
No.7494-1/16  
1234567...16

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBFR30LT1 ONSEMI

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 		TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN, FET Gene
SBFX8160-10 INTEL

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 		暂无描述
SBFX8160-12 INTEL

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 		EE PLD, 14ns, CMOS, PQFP176, TQFP-176
SBG1025L DIODES

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