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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SBG1025L-F
SBG1025L-F PDF预览

SBG1025L-F

更新时间： 2024-01-30 08:55:21
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
3页 355K
描述
10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SBG1025L-F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.56Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.36 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：25 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SBG1025L-F 数据手册

 浏览型号SBG1025L-F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SBG1025L-F的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: SBG1025L SBG1030L  
SBG1025L - SBG1030L  
10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
·
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
D2PAK  
E
Very Low Forward Voltage Drop  
Min  
9.65  
14.60  
0.51  
2.29  
4.37  
1.14  
1.14  
8.25  
0.30  
2.03  
2.29  
Max  
10.69  
15.88  
1.14  
2.79  
4.83  
1.40  
1.40  
9.25  
0.64  
2.92  
2.79  
Dim  
A
G
H
A
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free  
Wheeling, and Polarity Protection Applications  
4
B
·
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 2)  
C
J
B
D
Mechanical Data  
·
1
2
3
E
Case: D2PAK  
G
H
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
M
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
D
K
J
Terminals: Finish - Tin. Solderable per MIL-STD-202,  
C
L
K
Method 208  
e3  
L
·
·
·
·
Polarity: See Diagram  
PIN 1  
PIN 3  
M
PIN 2 & 4  
Marking: Type Number  
All Dimensions in mm  
Ordering Information: See Page 2  
Weight: 1.7 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
SBG1025L  
SBG1030L  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
25  
18  
30  
21  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TC = 120°C  
10  
200  
3.0  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
IFSM  
A
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Operating Temperature Range  
R
qJC  
°C/W  
°C  
Tj  
-65 to +125  
-65 to +150  
TSTG  
°C  
Storage Temperature Range  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Reverse Breakdown Voltage (Note 3)  
SBG1025L  
SBG1030L  
25  
30  
¾
¾
¾
¾
V
V
V(BR)R  
IR = 1mA  
@ IF = 10A, TC  
=
25°C  
¾
¾
¾
¾
¾
0.45  
0.36  
0.55  
0.50  
@ IF = 10A, TC = 125°C  
@ IF = 20A, TC 25°C  
@ IF = 20A, TC = 125°C  
0.34  
¾
VFM  
Forward Voltage  
V
=
0.48  
@ TC  
= 25°C  
Peak Reverse Current  
¾
¾
¾
1.0  
IRM  
CT  
mA  
pF  
@ TC = 125°C  
at Rated DC Blocking Voltage (Note 3)  
150  
260  
f = 1.0MHz, VR = 4.0V DC,  
Per Element  
Typical Total Capacitance  
¾
350  
¾
Notes: 1. Thermal resistance: junction to case mounted on heat sink.  
2. RoHS revision 13.2.2003. High Temperature Solder Exemption Applied, See EU Directive Annex Note 7.  
3. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
DS30127 Rev. 7 - 2  
1 of 3  
SBG1025L - SBG1030L  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBG1025L-T DIODES

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