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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SBG1025L
SBG1025L PDF预览

SBG1025L

更新时间： 2024-02-18 00:16:58
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
3页 61K
描述
10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SBG1025L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-263包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.54Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.45 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：25 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SBG1025L 数据手册

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SBG1025L - SBG1030L  
10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
ꢀ
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
Very Low Forward Voltage Drop  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
D2PAK  
E
Min  
9.65  
14.60  
0.51  
2.29  
4.37  
1.14  
1.14  
8.25  
0.30  
2.03  
2.29  
Max  
10.69  
15.88  
1.14  
2.79  
4.83  
1.40  
1.40  
9.25  
0.64  
2.92  
2.79  
Dim  
A
G
H
A
4
B
C
ꢀ
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
J
B
D
1
2
3
E
G
H
Mechanical Data  
ꢀ
M
Case: D2PAK Molded Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Polarity: See Diagram  
Marking: Type Number  
Weight: 1.7 grams (approx.)  
Ordering Information: See Sheet 2  
D
K
J
ꢀ
C
L
K
L
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
PIN 1  
PIN 3  
M
PIN 2 & 4  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25ꢁC unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SBG1025L  
SBG1030L  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
25  
18  
30  
21  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TC = 120ꢁC  
10  
200  
3.0  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
A
RꢂJC  
Tj  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Operating Temperature Range  
ꢁC/W  
ꢁC  
-65 to +125  
-65 to +150  
TSTG  
ꢁC  
Storage Temperature Range  
@ TA = 25ꢁC unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Reverse Breakdown Voltage  
SBG1025L  
SBG1030L  
25  
30  
ꢃ
ꢃ
ꢃ
ꢃ
V
V
V(BR)R  
IR = 1mA  
@ IF = 10A, TC  
=
25ꢁC  
ꢃ
ꢃ
ꢃ
ꢃ
ꢃ
0.34  
ꢃ
0.45  
0.36  
0.55  
0.50  
@ IF = 10A, TC = 125ꢁC  
@ IF = 20A, TC 25ꢁC  
@ IF = 20A, TC = 125ꢁC  
VFM  
Forward Voltage  
V
=
0.48  
@ TC  
= 25ꢁC  
Peak Reverse Current  
ꢃ
ꢃ
ꢃ
150  
1.0  
IRM  
Cj  
mA  
pF  
@ TC = 125ꢁC  
at Rated DC Blocking Voltage  
260  
f = 1.0MHz, VR = 4.0V DC  
Typical Junction Capacitance  
ꢃ
350  
ꢃ
Notes:  
1. Thermal resistance: junction to case mounted on heat sink.  
DS30127 Rev. 3 - 2  
1 of 3  
SBG1025L - SBG1030L  
123

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