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SBCT1020_10

更新时间： 2024-11-29 09:34:23

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管
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描述
Schottky Barrier Rectifier Diodes - Common Cathode

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SBCT1020_10 数据手册

SBCT1020 ... SBCT10100

Schottky Barrier Rectifier Diodes – Common Cathode

Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden – Gemeinsame Kathode

Version 2010-04-29

Nominal Current

Nennstrom

10 A

20...100 V

TO-220AB

2.2g

10.1^±0.3

1.2^±0.2

Ø 3.8^±0.2

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

4.5^±0.2

Type

Typ

Plastic case

Kunststoffgehäuse

1 2 3

2.67^±0.2

0.42^±0.4

Weight approx.

Gewicht ca.

1.3^±0.1

0.8^±0.2

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2.54^±0.1

Standard packaging in tubes

Standard Lieferform in Stangen

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung Stoßspitzensperrspannung

Surge peak reverse voltage

Forward Voltage

Durchlass-Spannung

V_F[V] ¹) ²)

V_RRM[V]

V_RSM[V]

I_F= 5 A

< 0.55

< 0.70

< 0.85

I_F= 10 A

< 0.63

< 0.79

< 0.92

SBCT1020

SBCT1030

SBCT1040

SBCT1045

SBCT1050

SBCT1060

SBCT1090

SBCT10100

100

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_C= 100°C

I_FAV

5 A ²)

10 A ³)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

f > 15 Hz

T_A= 25°C

I_FRM

I_FSM

i²t

20 A ²)

100/120 A ²)

50 A²s ²)

Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle

Rating for fusing, t < 10 ms

Grenzlastintegral, t < 10 ms

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-50...+150°C

-50...+175°C

T_j= 25°C

Per diode − Pro Diode

Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)

http://www.diotec.com/

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