SBCT1020 ... SBCT10100
SBCT1020 ... SBCT10100
Schottky Barrier Rectifiers – Common Cathode
Schottky-Barrier-Gleichrichter – Gemeinsame Kathode
Version 2007-01-17
10±0.2
Nominal Current
Nennstrom
10 A
20...100 V
TO-220AB
2.2g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
4
2
3.8
4
Type
Typ
Plastic case
Kunststoffgehäuse
1 2 3
Weight approx.
Gewicht ca.
1
3
1.5
0.9
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
2.54
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung Stoßspitzensperrspannung
Surge peak reverse voltage
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1) 2)
V
RRM [V]
VRSM [V]
IF = 5 A
< 0.55
< 0.55
< 0.55
< 0.55
< 0.70
< 0.70
< 0.85
< 0.85
IF = 10 A
< 0.63
< 0.63
< 0.63
< 0.63
< 0.79
< 0.79
< 0.92
< 0.92
SBCT1020
SBCT1030
SBCT1040
SBCT1045
SBCT1050
SBCT1060
SBCT1090
SBCT10100
20
30
20
30
40
40
45
45
50
50
60
60
90
90
100
100
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C
f > 15 Hz
IFAV
IFAV
5 A 2)
10 A 3)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM
20 A 2)
100/120 A 2)
100/120 A 2)
50 A2s 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave SBCT1020... TA = 25°C
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle SBCT1060
IFSM
IFSM
i2t
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave SBCT1080... TA = 25°C
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
SBCT10100
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
1
Tj = 25°C
2
3
Per diode − Pro Diode
Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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