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SBA500A40

更新时间： 2024-11-30 21:55:47
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SANREX /
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SBA500A40 数据手册

 浏览型号SBA500A40的Datasheet PDF文件第2页 
サイリスタモジュール  
SBA500AA  
UL:E76102（M）  
SanRexパワーサイリスタモジュールSBA500AAシリーズは、大電力の制  
御、整流の全ての用途に応用できます。  
138max  
60±0.2  
A2  
60±0.2  
K1  
（特徴）  
K1  
6-φ6.5  
4
2
5
7
●
●
●
●
●
2素子入り絶縁形モジュールです。  
定格臨界オン電流上昇率は200A μsです。  
表面  
処理にガラスパッシベーションを採  
用しているので、高信頼度が得られます。  
/
最小臨界オフ電圧上昇率は500V μsです。 （主な用途）  
/
K2  
3
1
6
8
●
豊富なシリーズが有り、逆並列接続、ブリ  
ッジ接続等の組み合わせが容易です。  
主電極と金属ベースとの間が絶縁されてい  
各種整流回路、交直  
流モーター制御、電気  
4-M4 depth8㎜  
G1  
A1  
28±1  
K2  
28±1  
60±1  
炉、調光装置、静止スイッチ  
4-M8 depth15㎜  
K1 A2  
●
K1  
るため、同  
一の放熱体に複数個 のモジュー  
G2  
G1  
ルを取付けることができ、組立が容易です。  
K2  
単位：A  
（特にことわらない限り Tj＝25℃）  
単ꢀ位  
A1 K2  
■最大定格  
定格値  
SBA500AA80  
記ꢀ号  
項ꢀꢀꢀꢀꢀ目  
SBA500A40  
400  
SBA500AA120 SBA500AA160  
VDRM  
VRSM  
VRRM  
ピーク繰返し逆電圧  
ピーク非繰返し逆電圧  
ピーク繰返しオフ電圧  
800  
960  
800  
1200  
1350  
1200  
1600  
1700  
1600  
V
V
V
480  
400  
記ꢀ号  
項ꢀꢀꢀꢀꢀ目  
平均オン電流  
条ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ件  
定格値  
単位  
A
T（AV）  
I
単相半波平均値 ，180°導通角，ケース温度66℃  
単相半波実効値 ，180°導通角，ケース温度66℃  
500  
785  
T（RMS）  
I
実効オン電流  
A
TSM  
I
サージオン電流  
電流二乗時間積  
ピークゲート損失  
平均ゲート損失  
ピークゲート順 電流  
ピークゲート順 電圧  
ピークゲート逆電圧  
臨界オン電流上昇率  
絶縁耐圧  
50Hz  
/
60Hz商用単相半波1サイクル波高値 ，非繰返し  
9.1/10.0  
416  
kA  
2
2
I t  
定格サージオン電流に対する値  
kA S  
GM  
P
15  
W
W
G（AV）  
P
5
FGM  
I
5
A
FGM  
V
10  
V
RGM  
V
5
V
1
G
D
DRM  
G
di/dt  
I ＝200mA，V ＝／V  
，dI /dt＝0.2A/μs  
200  
A/μs  
V
2
ISO  
V
A.C. 1分間  
2500  
－40～＋125  
－40～＋125  
4.7  
Tj  
接合部温度  
℃
Tstg  
保存温度  
℃
推奨値 ꢀ2.5～3.9  
（推奨値 ꢀ 25～40）  
推奨値 ꢀ8.8～10  
（推奨値 ꢀ 90～105）  
推奨値 ꢀ1.0～1.4  
（推奨値 ꢀ 10～14）  
標準値  
N･ｍ  
kgf･B  
N･ｍ  
kgf･B  
N･ｍ  
kgf･B  
g
取付け （M6）  
（48）  
11.0  
（
（
（
）
）
）
締付トルク 端ꢀ子ꢀ（M8）  
（115）  
1.5  
制御端子（M4）  
質量  
（15）  
1100  
■電気的特性  
記ꢀ号  
項ꢀꢀꢀꢀꢀ目  
条ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ件  
定格ピーク繰返しオフ電圧に於て，単相半波ꢀTj＝125℃  
定格ピーク繰返し逆電圧に於て，単相半波ꢀTj＝125℃  
定
規格値  
150  
単位  
mA  
DRM  
I
最大オフ電流  
最大逆電流  
RRM  
I
TM  
150  
mA  
V
最大オン電圧  
オン電流波高値 1500A，瞬時測  
1.45  
200  
3
V
mA  
V
GT  
D
T
I
最大ゲートトリガ電流  
最大ゲートトリガ電圧  
最小ゲート非トリガ電圧  
最小臨界オフ電圧上昇率  
V ＝6V，I ＝1A  
GT  
V
D
T
V ＝6V，I ＝1A  
1
GD  
D
DRM  
DRM  
V
Tj＝125℃，V ＝  
／
2V  
0.25  
500  
0.085  
V
2
D
dv/dt  
Tj＝125℃，V ＝／V  
，指数関数波形  
V/μs  
℃/W  
3
Rth（j-c） 最大熱抵抗  
接合部－ケース間  
12

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