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SBA500AA120

更新时间： 2024-11-30 21:53:39
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描述
THYRISTOR MODULE

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SBA500AA120 数据手册

 浏览型号SBA500AA120的Datasheet PDF文件第2页 
THYRISTOR MODULE  
SBA500AA  
UL;E76102（M）  
Power Thyristor Module SBA500AA series are designed for high power rectifier control  
applications. Two independent thyristor elements in a electrically isolated package enable  
you to achieve flexible design, especially for AC switch application, idial terminal  
location for bus bar connection helps both your mechanical design and mounting  
procedure be more efficient. SBA series for two thyristors with blocking voltage up to  
1600V are available.  
138max  
60±0.2  
A2  
60±0.2  
K1  
K1  
6-φ6.5  
4
2
5
7
Isolated mounting base  
（Applications）  
Various rectifiers  
AC/DC motor drives  
Heater controls  
Light dimmers  
K2  
3
1
6
8
●
T（AV）  
T（RMS）  
500A, I 785A  
I
4-M4 depth8㎜�  
G1  
A1  
28±1  
K2  
28±1  
● di/dt 200 A/μs  
● dv/dt 500V/μs  
60±1  
4-M8 depth15㎜�  
K1 A2  
K1  
G1  
Static switches  
G2  
K2  
Internal Configurations  
Unit：A  
A1 K2  
■Maximum Ratings  
Ratings  
Symbol  
Item  
Unit  
SBA500AA40  
SBA500AA80  
SBA500AA120 SBA500AA160  
VDRM  
VRSM  
VRRM  
Repetitive Peak Off-State Voltage  
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
400  
480  
400  
800  
960  
800  
1200  
1350  
1200  
1600  
1700  
1600  
V
V
V
Symbol  
Item  
Conditions  
Ratings  
Unit  
A
T（AV）  
I
Average On-State Current  
R.M.S. On-State Current  
Surge On-State Current  
500  
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：66℃  
T（RMS）  
I
785  
A
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc：66℃  
1
TSM  
I
kA  
／cycle, 50Hz/60Hz, peak Value, non-reqetitive  
9.1/10.0  
2
2
2
2
I t  
I t  
Value for one cycle of surge current  
416  
kA S  
GM  
P
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current  
15  
W
W
G（AV）  
P
5
FGM  
I
5
A
FGM  
V
10  
V
Peak Gate Voltage（Forward）  
Peak Gate Voltage（Reverse）  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
RGM  
V
5
200  
V
1
G
D
DRM  
G
di/dt  
I ＝200mA，V ＝／V ，dI /dt＝0.2A/μs  
A/μs  
V
2
ISO  
V
A.C. 1 minute  
2500  
Tj  
－40 to ＋125  
－40 to ＋125  
4.7  
℃
Tstg  
℃
Recommended Value 2.5-3.9  
(Recommended Value 25-40)  
Recommended Value 8.8-10  
(Recommended Value 90-105)  
Recommended Value 1.0-1.4  
Recommended Value 10-14)  
Typical Value  
N･ｍ  
㎏f･B  
N･ｍ  
㎏f･B  
N･ｍ  
㎏f･B  
g
Mounting（M6）  
(48)  
(
(
(
)
)
)
11.0  
Mounting  
Terminal（M8）  
Torque  
(115)  
1.5  
Terminal（M4）  
(15)  
Mass  
1100  
■Electrical Characteristics  
Symbol  
Item  
Conditions  
Ratings  
150  
Unit  
mA  
mA  
V
DRM  
I
Repetitive Peak Off-State Current, max.  
Repetitive Peak Reverse Current, max.  
Peak On-State Voltage, max.  
Gate Trigger Current, max.  
Gate Trigger Voltage, max.  
Non-Trigger Gate, Voltage. min.  
Critical Rate of Rise of Off-State Voltage, min.  
Thermal Impedance, max.  
DRM  
at V , Single phase, half wave, Tj＝125℃  
RRM  
I
DRM  
150  
at V , Single phase, half wave, Tj＝125℃  
TM  
V
T
I =1500A  
1.45  
200  
GT  
I
D
T
mA  
V
V ＝6V，I ＝1A  
GT  
V
D
T
3
V ＝6V，I ＝1A  
1
GD  
V
D
DRM  
0.25  
500  
V
Tj＝125℃，V ＝  
／
2V  
2
D
DRM  
dv/dt  
Tj＝125℃，V ＝／V ，exp, waveform  
V/μs  
℃/W  
3
Junction to case  
0.085  
Rth（j-c）  
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com  
12

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