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SB150E

更新时间： 2024-01-21 20:53:04

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强茂 - PANJIT		二极管
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2页	120K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

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SB150E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AL
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	50 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SB150E 数据手册

RATING AND CHARACTERISTIC CURVES

1.0

SINGLEPHASEHALFWAVE60Hz

RESISTIVEORINDUCTIVELOAD

P.C.B MOUNTED

ON 0.2 0.2"( 5.0 5.0mm)

COPPERPADAREAS

.75

.50

.25

100

125

150

175

100

LEAD TEMPERAURE, ^O

NO. OF CYCLE AT 60HZ

Fig.2-MAXIMUMNON-REPETITIVEPEAK

FORWARD SURGECURRENT

Fig.1- FORWARD CURRENT DERATING CURVE

10⁵

10⁴

10³

50-60V

20-40V

=125^O

1.0

10²

10¹

10⁰

10^-1

10^-2

=75^O

80-100V

0.1

= 25^O

0.8

RRM =20-60V

^RRM=80-100V

=25^O

0.01

0.2

0.4

0.6

1.0

100

FORWARD VOLTAGE, VOLTS

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,%

Fig.4- TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD

CHARACTERISTIC

Fig.3- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTIC

PAGE . 2

STAD-FEB.15.2005

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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SB150-E3	VISHAY	DIODE 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, Signal	获取价格
SB150-E3/73	VISHAY	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, P	获取价格
SB150H	PANJIT	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS	获取价格
SB150L	CZSTARSEA	DO-41	获取价格
SB150S	SHUNYE	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格