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SB150-E3/73

更新时间： 2024-02-01 16:03:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 65K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

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SB150-E3/73 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.35其他特性：FREE WHEELING DIODE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.65 VJEDEC-95代码：DO-204AL
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：50 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SB150-E3/73 数据手册

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SB120 thru SB160  
Vishay General Semiconductor  
Schottky Barrier Rectifier  
FEATURES  
• Guardring for overvoltage protection  
• Very small conduction losses  
• Extremely fast switching  
• Low forward voltage drop  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
DO-204AL (DO-41)  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection  
applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
1.0 A  
VRRM  
IFSM  
20 V to 60 V  
50 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-204AL (DO-41)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
VF  
0.48 V, 0.65 V  
125 °C, 150 °C  
TJ max.  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
SB120  
SB130  
30  
SB140  
40  
SB150  
50  
SB160  
60  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
20  
V
V
V
VRMS  
14  
21  
28  
35  
42  
Maximum DC blocking voltage  
VDC  
20  
30  
40  
50  
60  
Maximum average forward rectified current  
at 0.375" (9.5 mm) lead length (fig. 1)  
IF(AV)  
IFSM  
1.0  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
50  
Voltage rate of change (rated VR)  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
dV/dt  
TJ  
10 000  
V/μs  
°C  
- 65 to + 125  
- 65 to + 150  
TSTG  
- 65 to + 150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS SYMBOL  
SB120  
SB130  
SB140  
SB150  
SB160  
UNIT  
Maximum instantaneous  
forward voltage  
(1)  
1.0 A  
VF  
IR  
0.48  
0.65  
5.0  
V
TA = 25 °C  
0.50  
Maximum instantaneous reverse  
current at rated DC blocking voltage  
(1)  
mA  
TA = 100 °C  
10  
Note  
(1)  
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle  
Document Number: 88715  
Revision: 16-Oct-09  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
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