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SB150-T

更新时间： 2024-01-22 19:29:41
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES /
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3页 82K
描述
1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SB150-T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.61
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-204AL
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：50 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SB150-T 数据手册

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SPICE MODELS: SB120 SB130 SB140 SB150 SB160  
SB120 - SB160  
1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for Transient Protection  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
A
B
A
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop  
Surge Overload Rating to 40A Peak  
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free  
Wheeling, and Polarity Protection Applications  
C
·
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 3)  
D
Mechanical Data  
·
·
Case: DO-41 Plastic  
DO-41 Plastic  
Min  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Dim  
A
Max  
¾
25.40  
4.06  
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
B
5.21  
0.864  
2.72  
Terminals: Finish - Bright Tin. Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
C
0.71  
·
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
D
2.00  
Mounting Position: Any  
All Dimensions in mm  
Ordering Information: See Last Page  
Marking: Type Number  
Weight: 0.3 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
SB120  
20  
SB130  
30  
SB140  
SB150  
50  
SB160  
60  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
40  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
14  
21  
28  
35  
42  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
1.0  
(See Figure 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
VFM  
IRM  
40  
A
Forward Voltage (Note 2)  
@ IF = 1.0A  
0.50  
10  
0.70  
5.0  
V
0.5  
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage (Note 2)  
@ TA 25°C  
=
mA  
@ TA = 100°C  
RqJL  
RqJA  
Tj  
Typical Thermal Resistance Junction to Lead (Note 1)  
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient  
Operating Temperature Range  
15  
50  
°C/W  
°C/W  
-65 to +125  
-65 to +150  
°C  
TSTG  
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
Notes: 1. Measured at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.  
3. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS23022 Rev. 5 - 2  
1 of 3  
SB120-SB160  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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