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SB150-E

更新时间： 2024-01-27 06:51:28
品牌 Logo 应用领域
乐山 - LRC 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 181K
描述
Schottky Barrier Rectifiers Reverse Voltage 20 to 100V Forward Current 1.0A

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SB150-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.61
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-204AL
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED参考标准：AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：50 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SB150-E 数据手册

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SB120-E thru SB1100-E  
Schottky Barrier Rectifiers  
Reverse Voltage 20 to 100V Forward Current 1.0A  
Feature & Dimensions  
Flammability Classification 94V-0  
* Low power loss,high efficiency  
* For use in low voltage high frequency inverters,  
free wheeling,and polarity protection applications  
* Guarding for over voltage protection  
* High temperature soldering guaranteed:  
260°C/10 seconds at terminals  
* IEC61000-4-2 ESD Air Contact≥±15KV  
Mechanical Data  
Case: JEDEC DO-41, molded plastic over sky die  
Terminals: Plated axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
We declare that the material of product compliance  
with ROHS requirements  
Weight: 0.011 oz., 0.284 g  
Handling precautin:None  
1.Maximum & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
SB120- SB130- SB140- SB150- SB160- SB180- SB1100  
Parameter Symbol  
symbol  
Unit  
E
E
E
E
E
E
-E  
SB120 SB130 SB140 SB150 SB160 SB180 SB1100  
device marking code  
ESD  
20  
ESD  
30  
ESD  
40  
ESD  
50  
ESD  
60  
ESD  
80  
ESD  
100  
70  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
V
V
V
14  
21  
28  
35  
42  
56  
Maximum DC blocking voltage  
20  
30  
40  
50  
60  
80  
100  
Maximum average forward rectified current  
0.375" (9.5mm) lead length (See fig. 1)  
1.0  
30  
IF(AV)  
IFSM  
A
A
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
50  
thermal resistance, junction to ambient  
Operating temperature range  
storage temperature range  
RθJA  
TJ  
°C/W  
°C  
–40 to +150  
–40 to +175  
TSTG  
°C  
Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
SB120 SB130 SB140 SB150 SB160 SB180 SB1100  
Parameter Symbol  
symbol  
Unit  
V
-E  
-E  
-E  
-E  
-E  
-E  
-E  
VF  
0.50  
0.70  
0.84  
Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A  
0.5  
10  
Maximum DC reverse current TA = 25°C  
at rated DC blocking voltage TA = 100°C  
IR  
mA  
110  
Typical junction capacitance at 4.0V, 1MHz  
CJ  
PF  
1234567

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与SB150-E相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
SB150-E3 VISHAY DIODE 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, Signal

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SB150-E3/73 VISHAY Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, P

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