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SB1060LFCT PDF预览

SB1060LFCT

更新时间： 2024-09-24 08:54:11
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2页 88K
描述
DUAL LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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SB1060LFCT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.17其他特性：LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：125 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：60 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SB1060LFCT 数据手册

 浏览型号SB1060LFCT的Datasheet PDF文件第2页 
SB1060LFCT  
DUAL LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER  
VOLTAGE  
60 Volts  
CURRENT  
10 Amperes  
FEATURES  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
MECHANICAL DATA  
Case : ITO-220AB, Plastic  
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Weight: 0.065 ounces, 1.859 grams  
.027(.67)  
.022(.57)  
MAXIMUM RATINGS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
60  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
V
RRM  
V
per device  
Maximum average forward rectified current (Fig.1)  
per diode  
10  
5
I
F(AV)  
FSM  
A
A
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave  
per diode  
I
125  
superimposed on rated load per diode  
Typical thermal resistance  
Operating junction  
R
ΘJC  
4.5  
OC / W  
oC  
T
J
-55 to + 125  
-55 to + 150  
Storage temperature range  
TSTG  
oC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
Breakdown voltage  
SYMBOL  
V
TEST CONDITIONS  
R=1mA  
MIN.  
68  
TYP.  
-
MAX.  
-
UNIT  
V
BR  
I
I
I
F
F
=2.5A  
=5A  
-
-
0.40  
0.45  
-
T
J
=25oC  
V
V
0.48  
Instantaneous forward voltage per  
diode (1)  
V
F
I
I
F
F
=2.5A  
=5A  
-
-
0.30  
0.39  
-
TJ  
=125oC  
0.45  
T
TJ  
J
=25oC  
-
-
200  
-
500  
30  
μA  
mA  
Reverse current per diode (2)  
I
R
VR=60V  
=100oC  
Note.1.Pulse test : 300μs pulse width, 1% duty cycle  
2.Pulse test : pulse width < 40ms  
May 4,2010-REV.00  
PAGE . 1  
12

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