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SB1060 PDF预览

SB1060

更新时间： 2024-11-26 20:55:39
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
2页 89K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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SB1060 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.61
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：255 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-50 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：60 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SB1060 数据手册

 浏览型号SB1060的Datasheet PDF文件第2页 
SB1020 ... SB10100  
Version 2009-11-06  
SB1020 ... SB10100  
Schottky Barrier Rectifiers  
Schottky-Barrier-Gleichrichter  
Nominal current  
Nennstrom  
10 A  
20...100 V  
Ø 5.4±0.1  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
Ø 5.4 x 7.5 [mm]  
1.0 g  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Ø 1.2±0.05  
Standard packaging taped in ammo pack  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
Dimensions - Maße [mm]  
Maximum ratings  
Grenzwerte  
Type  
Typ  
Repetitive peak reverse voltage  
Periodische Spitzensperrspannung  
VRRM [V]  
Surge peak reverse voltage  
Stoßspitzensperrspannung  
VRSM [V]  
Forward voltage  
Durchlass-Spannung  
VF [V] 1)  
IF = 5 A  
< 0.48  
< 0.48  
< 0.48  
< 0.48  
< 0.63  
< 0.63  
< 0.77  
< 0.77  
IF = 10 A  
< 0.55  
< 0.55  
< 0.55  
< 0.55  
< 0.68  
< 0.68  
< 0.83  
< 0.83  
SB1020  
SB1030  
SB1040  
SB1045  
SB1050  
SB1060  
SB1090  
SB10100  
20  
30  
20  
30  
40  
40  
45  
45  
50  
50  
60  
60  
90  
90  
100  
100  
Max. average forward rectified current, R-load  
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last  
TA = 50°C  
f > 15 Hz  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
IFAV  
IFRM  
IFSM  
i2t  
10 A2)  
Repetitive peak forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
44 A 2)  
220/255 A  
240 A2s  
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle  
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Tj  
Tj  
-50...+150°C  
≤ 200°C  
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
TS  
-50...+175°C  
1
Tj = 25°C  
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
12

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