SB10150FCT

更新时间： 2024-02-23 09:34:42

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WTE		二极管瞄准线高压功效局域网
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描述
10A HIGH VOLTAGE DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SB10150FCT 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	R-PSFM-T2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.37
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	HIGH VOLTAGE
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	150 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SB10150FCT 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

SB10150FCT

10A HIGH VOLTAGE DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

Schottky Barrier Chip

Guard Ring for Transient Protection

Low Forward Voltage Drop

Low Reverse Leakage Current

High Surge Current Capability

Plastic Material has UL Flammability

Classification 94V-O

ITO-220

Min

Dim

Max

15.40

10.30

2.85

14.60

9.70

2.55

PIN1

3.56

4.16

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ D

13.00

0.30

13.80

0.90

3.00 Ø

6.30

3.50 Ø

6.90

Mechanical Data

Case: ITO-220, Full Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: See Diagram

Weight: 2.24 grams (approx.)

4.20

4.80

2.50

2.90

0.36

0.80

2.90

3.30

2.29

2.79

Mounting Position: Any

All Dimensions in mm

Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max.

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4

PIN 1 -

PIN 3 -

PIN 2

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol

SB10150FCT

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

150

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

105

Average Rectified Output Current

@T_C= 95°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed

on rated load (JEDEC Method)

FSM

150

Forward Voltage

@I_F= 5.0A

V^FM

I^RM

0.92

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 100°C

0.5

Typical Junction Capacitance (Note 1)

C^j

700

°C

Operating and Storage Temperature Range

T^j, T^STG

-65 to +150

Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

SB10150FCT

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SB10150F-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220, ROHS COM
SB10150L	SENO	获取价格	10.0A SUPER BARRIER RECTIFIER
SB10150L	MDD	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SB10150LCT	ASEMI	获取价格	DUAL LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
SB10150-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220, ROHS COM
SB10150LFCT	ASEMI	获取价格	DUAL LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
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