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SB10150F-LF

更新时间： 2024-01-09 16:59:06

品牌	Logo	应用领域
WTE		局域网高压二极管
页数	文件大小	规格书
4页	61K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220A, 2 PIN

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SB10150F-LF 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	R-PSFM-T2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.37
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	HIGH VOLTAGE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	150 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SB10150F-LF 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

SB10150F – SB10200F

10A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features

ꢀ

Schottky Barrier Chip

ꢀ

Guard Ring for Transient Protection

Low Forward Voltage Drop

Low Reverse Leakage Current

High Surge Current Capability

Plastic Material has UL Flammability

Classification 94V-O

ITO-220A

Dim

Min

14.60

9.70

2.55

3.56

13.00

0.30

3.00 Ø

6.30

4.20

2.50

0.36

2.90

4.83

Max

15.40

10.30

2.85

PIN1

4.16

13.80

0.90

3.50 Ø

6.90

Mechanical Data

ꢀ

Case: ITO-220A, Full Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: See Diagram

Weight: 2.24 grams (approx.)

4.80

ꢀ

2.90

0.80

ꢀ

3.30

5.33

Mounting Position: Any

All Dimensions in mm

Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max.

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4

PIN 1 +

PIN 3 -

Maximum Ratings and Electrical Characteristics @T_A=25°C unless otherwise specified

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol

SB10150F

SB10200F

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

VRRM

VRWM

V^R

150

105

200

140

RMS Reverse Voltage

VR(RMS)

Average Rectified Output Current

@T_L= 95°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed

on rated load (JEDEC Method)

IFSM

150

0.92

Forward Voltage

@I_F= 10A

VFM

I^RM

Peak Reverse Current

@T_A= 25°C

0.5

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 100°C

Typical Junction Capacitance (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

700

4.0

°C/W

°C

RθJC

Operating and Storage Temperature Range

Tj, TSTG

-65 to +150

Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

2. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.

SB10150F – SB10200F

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SB10150L	MDD	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SB10150LCT	ASEMI	获取价格	DUAL LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
SB10150-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon, TO-220, ROHS COM
SB10150LFCT	ASEMI	获取价格	DUAL LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
SB10-150SMD05	SEME-LAB	获取价格	SHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODE
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