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SB10-18K

更新时间： 2024-01-26 10:25:59

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三洋 - SANYO		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	87K
描述
180V, 1A Rectifier

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SB10-18K 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.84
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	2	端子数量：	3
最大输出电流：	0.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	180 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SB10-18K 数据手册

Ordering number:EN2835B

SB10-18K

Schottky Barrier Diode (Twin Type · Cathode Common)

180V, 1A Rectifier

Applications

Package Dimensions

unit:mm

· High frequency rectification (switching regulators,

converters, choppers).

1199C

[SB10-18K]

Features

· Low forward voltage (V =0.85V max).

· Fast reverse recovery time (trr=35ns max).

· Low switching noise.

· Low leakage current and high reliability due to

highly reliable planar structure.

1:Anode

2:Cathode

3:Anode

SANYO:TO-220MF

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C

Parameter

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage

Average Output Current

180

190

RRM

RSM

50Hz, resistive load, Tc=112˚C

Surge Forward Current

50Hz sine wave, 1 cycle

FSM

Junction Temperature

–55 to +125

˚C

Storage Temperature

Tstg

Electrical Characteristics at Ta = 25˚C

Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditons

Unit

min

180

max

Reverse Voltage

Forward Voltage

Reverse Current

=0.5mA, Tj=25˚C,*

0.85

I =0.4A, Tj=25˚C,*

0.1

=90V, Tj=25˚C,*

Reverse Recovery Time

Thermal Resistance

trr

I =2A, Tj=25˚C,*,–dI /dt=10A/µs

Rthj-c

Junction-Case:Smoothed DC

5.0 ˚C/W

Note *: Value per element

Electrical Connection

1:Anode

2:Cathode

3:Anode

SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters

TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN

43098HA (KT)/O318TA, TS No.2835-1/3

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