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SB10-18

更新时间： 2024-02-11 08:33:33

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三洋 - SANYO		/
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3页	120K
描述
80V, 1A Rectifier

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SB10-18 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.84
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	2	端子数量：	3
最大输出电流：	0.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	180 V
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

SB10-18 数据手册

Ordering number:EN2585B

SB10-18

Schottky Barrier Diode (Twin Type · Cathode Common)

80V, 1A Rectifier

Applications

Package Dimensions

unit:mm

· High frequency rectification (switching regulators,

converters, choppers).

1159B

[SB10-18]

Features

· Low forward voltage (V max=0.85V).

· Fast reverse recovery time (trr max=35ns).

· Low switching noise.

· Low leakage current and highly reliability due to

highly reliable planar structure.

1:Anode

2:Cathode

3:Anode

JEDEC:TO-220AB

EIAJ:SC-46

Specifications

Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C

Parameter

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

Repetitive Peak Reverse Voltage

Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage

Average Output Current

180

190

RRM

RSM

50Hz, resistive load, Tc=114˚C

Surge Forward Current

50Hz sine wave, 1 cycle

FSM

Junction Temperature

–55 to +125

˚C

Storage Temperature

Tstg

Electrical Characteristics

Ratings

typ

Parameter

Symbol

Conditons

Unit

min

180

max

Reverse Voltage

=0.5mA, Tj=25˚C, *

Forward Voltage

0.85

I =0.4A, Tj=25˚C, *

Reverse Current

0.1

=90V, Tj=25˚C, *

I =2A, Tj=25˚C, *,–dI /dt=10A/µs

Reverse Recovery Time

Thermal Resistance

trr

Rthj-c

Junction-Case:Smoothed DC

5.0 ˚C/W

Note*: Value per element

Electrical Connection

1:Anode

2:Cathode

3:Anode

SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters

TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN

43098HA (KT)/1228AT, TS No.2585-1/3

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