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SB10150LFCT

更新时间： 2024-02-26 17:18:13
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ASEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 208K
描述
DUAL LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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SB10150LFCT 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SFM
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.37
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：HIGH VOLTAGE
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220JESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：150 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SB10150LFCT 数据手册

 浏览型号SB10150LFCT的Datasheet PDF文件第2页 
SB10150LFCT  
SB10150LFCT  
DUAL LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER  
10 Amperes  
4.93  
4.53  
10.36  
9.96  
VOLTAGE  
CURRENT  
150 Volts  
2.72  
2.32  
FEATURES  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
2.96  
2.56  
1.24  
1.20  
1.46  
1.26  
MECHANICAL DATA  
0.9  
0.7  
Case : ITO-220AB, Plastic  
0.6  
0.45  
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Weight: 0.055 ounces, 1.5615 grams.  
2.74  
2.34  
2.74  
2.34  
MAXIMUM RATINGS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
150  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
V
RRM  
V
A
per device  
Maximum average forward rectified current (Fig.3)  
per diode  
10  
5
I
F(AV)  
FSM  
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave  
per diode  
I
200  
4.5  
A
superimposed on rated load per diode  
Typical thermal resistance  
Operating junction  
RΘ  
JC  
oC/W  
oC  
TJ  
-55 to + 150  
-55 to + 150  
Storage temperature range  
TSTG  
oC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
V
TEST CONDITIONS  
=1.0mA  
MIN.  
103  
TYP.  
120  
MAX.  
-
UNIT  
Breakdown voltage per diode  
BR  
I
R
V
V
V
I
I
F
F
=5A  
=10A  
-
-
0.54  
-
0.60  
0.75  
TJ  
=25oC  
Instantaneous forward voltage per  
diode (1)  
V
F
I
I
F
F
=5A  
=10A  
-
-
0.52  
0.62  
-
TJ  
=125oC  
0.70  
V
V
R
=70V  
-
10  
35  
μA  
Reverse current per diode (2)  
I
R
T
TJ  
J
=25oC  
-
-
-
-
500  
30  
μA  
mA  
R=100V  
=125oC  
Note.1 Pulse test : 380μs pulse width, 1% duty cycle  
2. Pulse test : Pulse width < 2.5ms  
PAGE . 1  
www.asemi88.com  
12

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