SA33A-B

更新时间： 2024-11-12 06:09:59

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	137K
描述
Transient Voltage Suppression Diodes

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SA33A-B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-15
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.3
其他特性：	UL RECOGNIZED	最大击穿电压：	40.6 V
最小击穿电压：	36.7 V	击穿电压标称值：	38.65 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	53.3 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AC
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	3 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	33 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	Base Number Matches：	1

SA33A-B 数据手册

TransientVoltage Suppression Diodes

Axial Leaded – 500W > SA series

RoHS

SA Series

Description

The SA Series is designed specifically to protect sensitive

electronic equipment from voltage transients induced by

lightning and other transient voltage events.

Features

tꢀ)BMPHFOꢁ'SFF

tꢀ -PXꢀJODSFNFOUBMꢀTVSHFꢀ

resistance

tꢀ 3P)4ꢀDPNQMJBOU

tꢀ 5ZQJDBMꢀ*_Rless than 1μA

above 13V

tꢀ 5ZQJDBMꢀNBYJNVNꢀ

temperature coefﬁcient

ΔV_BR= 0.1% x V_BR@25°C x ΔT tꢀ )JHIꢀUFNQFSBUVSFꢀ

soldering guaranteed:

Agency Approvals

tꢀ (MBTTꢀQBTTJWBUFEꢀDIJQꢀ

260°C/40 seconds /

0.375”,(9.5mm) lead

length, 5 lbs., (2.3kg)

tension

tꢀ 1MBTUJDꢀQBDLBHFꢀIBTꢀ

Underwriters Laboratory

Flammability classiﬁcation

94V-O

junction in DO-15 Package

AGENCY

AGENCY FILE NUMBER

E128662/E230531

tꢀ ꢂꢃꢃ8ꢀQFBLꢀQVMTFꢀ

capability at 10×1000μs

waveform, repetition rate

(duty cycles):0.01%

tꢀ 'BTUꢀSFTQPOTFꢀUJNFꢄꢀ

typically less than 1.0ps

from 0 Volts to BV min

Maximum Ratings andThermal Characteristics

(T_A=25^OC unless otherwise noted)

tꢀ .BUUFꢀ5JOꢀ-FBEoGSFFꢀQMBUFE

tꢀ &YDFMMFOUꢀDMBNQJOHꢀ

capability

Parameter

Symbol

P_PPM

Value

500

Unit

Peak Pulse Power Dissipation by

10x1000μs test waveform (Fig.1)

(Note 1)

Applications

Steady State Power Dissipation on

inﬁnite heat sink atT_L=75ºC (Fig. 5)

P_D

3.0

TVS devices are ideal for the protection of I/O interfaces,

_CCbus and other vulnerable circuits used in telecom,

computer, industrial and consumer electronic applications.

Peak Forward Surge Current, 8.3ms

Single Half Sine Wave Unidirectional

only (Note 2)

I_FSM

Maximum Instantaneous Forward

Voltage at 35A for Unidirectional

only (Note 3)

V_F

3.5/5.0

Operating Junction and Storage

Temperature Range

T , T_STG-55 to 175

°C

TypicalThermal Resistance Junction

to Lead

R_uJL

R_uJA

°C/W

TypicalThermal Resistance Junction

to Ambient

Notes:

1. Non-repetitive current pulse , per Fig. 3 and derated aboveT_A= 25^OC per Fig. 2.

2. Measured on 8.3ms single half sine wave or equivalent square wave, duty cycle=4 per

minute maximum.

3. V_F<3.5V for devices of V_BR<_ 200V and V_F<5.0V for devices of V_BR>_ 201V.

Revision: January 09, 2009

SA Series

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Please refer to http://www.Littelfuse.com/series/SA.html for current information.

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

SA33A-B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SA33	LITTELFUSE	功能相似	SA系列专门用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压侵害。
SA33A-B	DIODES	功能相似	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1
SA33A	LITTELFUSE	功能相似	Silicon Avalanche Diodes - 500 Watt Axial Leaded Transient Voltage Suppressors

与SA33A-B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SA33A-BP	MCC	获取价格	暂无描述
SA33A-BP-HF	MCC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1
SA33ACA	MOTOROLA	获取价格	500W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
SA33AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-4
SA33A-E3	VISHAY	获取价格	DIODE 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Transien
SA33A-E3/51	VISHAY	获取价格	DIODE 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Transien
SA33AE3/TR12	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-4
SA33AE3/TR8	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-4
SA33AG	ONSEMI	获取价格	500 Watt Peak Power MiniMOSORB Zener Transient Voltage Suppressors
SA33A-G	SENSITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-1

与SA33A-B相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

8
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

9
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SA33A-B

SA33A-B 技术参数

SA33A-B 数据手册

SA33A-B 替代型号

与SA33A-B相关器件

与SA33A-B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SA33A-B

SA33A-B 技术参数

SA33A-B 数据手册

SA33A-B 替代型号

与SA33A-B相关器件

与SA33A-B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？