5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-15 |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 0.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, UL RECOGNIZED |
| 最大击穿电压： | 14.7 V | 最小击穿电压： | 13.3 V |
| 击穿电压标称值： | 14 V | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大钳位电压： | 19.9 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-15 | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 500 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 12 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| P5KE12CA-TP | MCC |
类似代替  |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15 |
|
| SA12CA-T | DIODES |
类似代替 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15 |
|
| SA12CA-B | LITTELFUSE |
类似代替 |
Transient Voltage Suppression Diodes |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SA12CA-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15 |
|
| SA12CB | CRYDOM |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15 |
|
| SA12CB | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15, |
|
| SA12C-B | DIODES |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| SA12C-BP | MCC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15 |
|
| SA12C-BP-HF | MCC |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 12V V(RWM), Bidirectional, |
|
| SA12C-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-20 |
|
| SA12C-E3/4 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-20 |
|
| SA12C-E3/51 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 500W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-20 |
|
| SA12C-E3/54 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 12V V(RWM), Bidirectional, |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
