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S9014-SOT-23

更新时间： 2025-07-20 01:25:23

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描述
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

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S9014-SOT-23 数据手册

S9014

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR( NP N )

Features

SOT- 23

● Complementary to S9015

Marking:

●

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

100

℃/W

℃

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

200

P_C

R_ΘJA

T_j

625

150

Storage Temperature

T_stg

-55～+150

℃

Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

I_C= 100μA, I_E=0

I_C= 0.1mA, I_B=0

I_E=100μA, I_C=0

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_CB=50 V , I_E=0

V_CE=35V , I_B=0

V_EB= 3V , I_C=0

0.1

μA

Collector cut-off current

I_CEO

0.1

1000

0.3

Emitter cut-off current

I_EBO

DC current gain

h_FE

V_CE=5V, I_C= 1mA

I_C=100 mA, I_B= 5mA

200

150

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_CE=5V, I_C= 10mA

f=30MHz

Transition frequency

f_T

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

200-450

450-1000

Range

igh Diode Semiconductor

12 3 4

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