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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TFBGA, |
| 针数： | 133 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.63 |
| 其他特性： | DRAM IS ORGANISED AS 16M X 16; SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE | JESD-30 代码： | R-PBGA-B133 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 11 mm |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 133 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 32MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.1 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S72NS512PE0AJGGC2 | SPANSION |
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MirrorBit Flash Memory and DRAM |
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| S72NS512PE0AJGGC3 | SPANSION |
获取价格 |
MirrorBit Flash Memory and DRAM |
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| S72NS512PE0AJGGG | SPANSION |
获取价格 |
MirrorBit Flash Memory and DRAM |
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| S72NS512PE0AJGGG0 | SPANSION |
获取价格 |
MirrorBit Flash Memory and DRAM |
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| S72NS512PE0AJGGG2 | SPANSION |
获取价格 |
MirrorBit Flash Memory and DRAM |
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| S72NS512PE0AJGGG3 | SPANSION |
获取价格 |
MirrorBit Flash Memory and DRAM |
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| S72NS512PE0AJGJ03 | SPANSION |
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Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA133, 11 X 10 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-133 |
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| S72NS512PE0AJGJC0 | SPANSION |
获取价格 |
Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA133, 11 X 10 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-133 |
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| S72NS512PE0AJGL00 | SPANSION |
获取价格 |
Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA133, 11 X 10 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-133 |
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| S72NS512PE0AJGL02 | SPANSION |
获取价格 |
Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA133, 11 X 10 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-133 |
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