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Datasheet > 存储 > 其他内存集成电路> S71WS256PD0HF3HR2
S71WS256PD0HF3HR2 PDF预览

S71WS256PD0HF3HR2

更新时间： 2024-11-21 04:21:15
品牌 Logo 应用领域
飞索 - SPANSION 闪存存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 274K
描述
1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash Memory with CellularRAM

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S71WS256PD0HF3HR2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：FBGA, BGA84,10X12,32Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69Is Samacsys：N
最长访问时间：80 nsJESD-30 代码：R-PBGA-B84
JESD-609代码：e1内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
混合内存类型：FLASH+PSRAM湿度敏感等级：3
端子数量：84最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：FBGA封装等效代码：BGA84,10X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：1.8 V认证状态：Not Qualified
子类别：Other Memory ICs标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

S71WS256PD0HF3HR2 数据手册

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S71WS-P based MCP Products  
1.8 Volt-only x16 Simultaneous Read/Write, Burst Mode  
Flash Memory with CellularRAM  
S71WS-P based MCP Products Cover Sheet  
Data Sheet (Advance Information)  
Notice to Readers: This document states the current technical specifications regarding the Spansion  
product(s) described herein. Each product described herein may be designated as Advance Information,  
Preliminary, or Full Production. See Notice On Data Sheet Designations for definitions.  
Publication Number S71WS-P_00 Revision A Amendment 2 Issue Date August 21, 2006  
1234567...10

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