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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-56 | 针数： | 56 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.05 | 最长访问时间： | 90 ns |
| 其他特性： | PSRAM IS ORGANIZED AS 1M X 16 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B56 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 9 mm |
| 内存密度： | 33554432 bit | 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度： | 16 | 混合内存类型： | FLASH+SRAM |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 56 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 2MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装等效代码： | BGA56,8X8,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 子类别： | Other Memory ICs | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.1 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 7 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S71GL032NA0BFW0Z3 | SPANSION |
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Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
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| S71GL032NA0BHW0B2 | CYPRESS |
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Memory Circuit, Flash+PSRAM, CMOS, PBGA56, |
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| S71GL032NA0BHW0K0 | CYPRESS |
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Memory IC |
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| S71GL032NA0BHW0K2 | CYPRESS |
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Memory IC |
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| S71GL032NA0BHW0K3 | CYPRESS |
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Memory IC |
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| S71GL032NA0BHW0P2 | CYPRESS |
获取价格 |
Memory IC |
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| S71GL032NA0BHW0P3 | CYPRESS |
获取价格 |
Memory IC |
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| S71GL032NA0BHW0U0 | SPANSION |
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Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA56, 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, HALO |
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| S71GL032NA0BHW0U2 | SPANSION |
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Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA56, 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, HALO |
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| S71GL032NA0BHW0U3 | SPANSION |
获取价格 |
Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA56, 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, HALO |
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