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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TFBGA, BGA56,8X8,32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.05 |
| 最长访问时间： | 90 ns | 其他特性： | PSRAM IS ORGANIZED AS 1M X 16 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B56 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 9 mm | 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度： | 16 |
| 混合内存类型： | FLASH+SRAM | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 56 |
| 字数： | 2097152 words | 字数代码： | 2000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 2MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA56,8X8,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 子类别： | Other Memory ICs | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.1 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 宽度： | 7 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S71GL032NA0BHW0Z3 | SPANSION |
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Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA56, 7 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, HALO |
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| S71GL032NB0BFW0Z0 | SPANSION |
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Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
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| S71GL032NB0BFW0Z2 | SPANSION |
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Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
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| S71GL032NB0BFW0Z3 | SPANSION |
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Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
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| S71GL064A | SPANSION |
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STACKED MULTI CHIP PRODUCT FLASH MEMORY AND RAM |
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| S71GL064A04BAI0B0 | SPANSION |
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Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
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| S71GL064A04BAI0B2 | SPANSION |
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Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
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| S71GL064A04BAI0B3 | SPANSION |
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Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
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| S71GL064A04BAI0F0 | SPANSION |
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Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
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| S71GL064A04BAI0F2 | SPANSION |
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Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
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