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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.27 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| S5566BTPA3 | TOSHIBA | DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| S5566BTPB2 | TOSHIBA | DIODE 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| S5566G | TOSHIBA | GENERAL PURPOSE RECTIFIER APPLICATIONS |
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| S5566G | EIC | SILICON RECTIFIER DIODES |
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| S5566GTPA2 | TOSHIBA | DIODE 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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| S5566GTPB2 | TOSHIBA | DIODE 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
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