S5566N

更新时间： 2024-02-24 03:49:22

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EIC		整流二极管
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SILICON RECTIFIER DIODES

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S5566N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LEAD FREE, 3-3E1A, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.39
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

S5566N 数据手册

SILICON RECTIFIER DIODES

DO - 41

S5566B/G/J/N

PRV : 100 - 1000 Volts

Io : 1.0 Ampere

1.00 (25.4)

0.107 (2.7)

MIN.

0.080 (2.0)

FEATURES :

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

0.205 (5.2)

0.166 (4.2)

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Pb / RoHS Free

1.00 (25.4)

0.034 (0.86)

MIN.

0.028 (0.71)

MECHANICAL DATA :

* Case : DO-41 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.339 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 50 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS voltage

SYMBOL S5566B S5566G

S5566J

600

S5566N

1000

700

UNIT

V^RRM

V^RMS

VDC

100

400

280

400

420

Maximum DC Blocking Voltage

100

600

1000

Maximum Average Forward Current

Maximum Peak Forward Surge Current Single half sine wave

superimposed on rated load (JEDEC Method)

Maximum Forward Voltage at IF = 1.0 A

Maximum Repetitive Peak Reverse Current

Junction Temperature Range

I^F(AV)

1.0

(50Hz)

(60Hz)

(50Hz)

(60Hz)

I^FSM

1.2

I^RRM

°C

- 40 to + 150

Storage Temperature Range

T^STG

Page 1 of 2

Rev. 01 : April 2, 2002

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