是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.82 | 关态电压最小值的临界上升速率: | 5 V/us |
最大直流栅极触发电流: | 0.2 mA | 最大直流栅极触发电压: | 0.8 V |
最大维持电流: | 6 mA | JESD-609代码: | e0 |
最大漏电流: | 0.1 mA | 通态非重复峰值电流: | 30 A |
最大通态电压: | 1.6 V | 最大通态电流: | 1600 A |
最高工作温度: | 100 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
断态重复峰值电压: | 400 V | 子类别: | Silicon Controlled Rectifiers |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
S4001MS3 | TECCOR |
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Silicon Controlled Rectifier, 1600mA I(T), 400V V(DRM) | |
S4002 | ROHM |
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S4002是SiC(碳化硅)沟槽型MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。关于 | |
S4003 | ROHM |
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S4003是SiC(碳化硅)功率MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。关于B | |
S40032LK8 | ETC |
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SYVCHRONOUS DRAM | |
S40032LK8LK7FB-75A | ETC |
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SYVCHRONOUS DRAM | |
S40032LK8LK7FB-8A | ETC |
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SYVCHRONOUS DRAM | |
S40032LK8LK7FC-75A | ETC |
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SYVCHRONOUS DRAM | |
S40032LK8LK7FC-8A | ETC |
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SYVCHRONOUS DRAM | |
S40032LK8LK7TW-75A | ETC |
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SYVCHRONOUS DRAM | |
S40032LK8LK7TW-8A | ETC |
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SYVCHRONOUS DRAM |