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S4002

更新时间： 2024-11-25 11:11:31

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		电子开关
页数	文件大小	规格书
12页	735K
描述
S4002是SiC（碳化硅）沟槽型MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。 SiC支持页面评估板应用实例罗姆SiC器件什么是SiC？电子基础

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S4002

Datasheet

N-channel SiC power MOSFET bare die

V_DSS

R_DS(on)(Typ.)

I_D

650V

22mW

93A^*1

lFeatures

lInner circuit

1) Low on-resistance

2) Fast switching speed

3) Fast reverse recovery

4) Easy to parallel

(1) Gate

(2) Drain

(3) Source

*1 Body Diode

5) Simple to drive

lApplication

・Solar inverters

・DC/DC converters

・Switch mode power supplies

・Induction heating

・Motor drives

lAbsolute maximum ratings (T_a= 25°C)

Parameter

Symbol

V_DSS

Value

650

Unit

Drain - Source voltage

T_c= 25°C

Continuous drain current

I_D

Pulsed drain current

232

I_D,pulse

V_GSS

Gate - Source voltage (DC)

Gate-Source Surge Voltage (t_surge< 300nsec)

Recommended Drive Voltage

Junction temperature

-4 to +22

-4 to +26

0 / +18

175

V_{GSS_surge}

V_{GS_op}

T_j

°C

T_stg

Range of storage temperature

-55 to +175

www.rohm.com

TSZ22111・14・001

TSQ50151-S4002

14.Jun.2018 - Rev.001

1/11

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