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Datasheet > 光电 > 光电二极管> S3584-09
S3584-09 PDF预览

S3584-09

更新时间： 2024-11-30 03:34:27
品牌 Logo 应用领域
HAMAMATSU 光电二极管光电二极管传感器
页数 文件大小 规格书
2页 130K
描述
Si PIN photodiode Large area sensors for scintillation detection

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S3584-09 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：CERAMIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.40.60.50
风险等级：5.6Is Samacsys：N
其他特性：HIGH SENSITIVITY配置：SINGLE
最大暗电源：30 nA红外线范围：YES
标称光电流：0.73 mA功能数量：1
最高工作温度：60 °C最低工作温度：-20 °C
光电设备类型：PIN PHOTODIODE峰值波长：960 nm
最小反向击穿电压：100 V形状：SQUARE
尺寸：28 mmBase Number Matches：1

S3584-09 数据手册

 浏览型号S3584-09的Datasheet PDF文件第2页 
P H O T O D I O D E  
Si PIN photodiode  
S3204/S3584 series  
Large area sensors for scintillation detection  
S3204/S3584 series are large area Si PIN photodiodes having an epoxy resin window. These photodiodes are also available without window.  
Features  
Applications  
Higher sensitivity and low dark current than conventional type  
Sensitivity matching with BGO and CsI (TI) scintillators  
High quantum efficiency QE=85 % (λ=540 nm)  
Low capacitance  
Scintillation detectors  
Calorimeters  
Hodoscopes  
TOF counters  
High-speed response  
High stability  
Air shower counters  
Particle detectors, etc.  
Good energy resolution  
ꢀ General ratings / Absolute maximum ratings  
Absolute maximum ratings  
Power Operating  
dissipation temperature temperature  
Depletion  
layer  
thickness  
Active  
area  
Storage  
Dimensional  
outline  
Window  
material  
Reverse  
voltage  
VR Max.  
Type No.  
P
(mW)  
Topr  
(°C)  
Tstg  
(°C)  
(mm)  
(mm)  
0.5  
S3204-05  
S3204-06  
S3204-08  
S3204-09  
S3584-05  
S3584-06  
S3584-08  
S3584-09  
Epoxy resin  
Window-less  
Epoxy resin  
Window-less  
Epoxy resin  
Window-less  
Epoxy resin  
Window-less  
150  
100  
150  
100  
ꢀ
ꢀ
18 × 18  
0.3  
0.5  
0.3  
100  
-20 to +60  
-20 to +80  
28 × 28  
ꢀ Electrical and optical characteristics (Typ. Ta=25 °C, unless otherwise noted)  
Dark  
current  
ID  
Short  
circuit  
current  
Ter minal  
Frequency capacitance  
Cut-off  
Spectral  
response  
range  
Peak  
sensitivity  
wavelength  
Photo sensitivity  
S
Temp.  
fc  
Ct  
NEP  
coefficient  
of ID  
V
R
=100 V  
Type No.  
R
V =100 V f= 1MHz  
VR=100 V  
Isc  
Typ. Max.  
R
V =100 V  
λ
λp  
LSO  
BGO  
CsI(Tl) 100 lx  
-3 dB  
TCID  
λ=λp  
420 nm 480 nm 540 nm  
(
(times/° C)  
nA)  
(nm)  
(nm)  
980  
(A/W) (A/W)  
(A/W)  
0.25  
0.32  
0.3  
0.33  
0.25  
0.32  
0.3  
(A/W)  
0.3  
0.39  
0.36  
0.41  
0.3  
0.39  
0.36  
0.41  
(µA) (nA)  
(MHz)  
20  
(pF)  
80  
(W/Hz1/2)  
S3204-05  
S3204-06  
S3204-08  
S3204-09  
S3584-05  
S3584-06  
S3584-08  
S3584-09  
*1: VR=70 V  
0.62  
0.64  
0.66  
0.66  
0.62  
0.64  
0.66  
0.66  
0.19  
0.23  
0.20  
0.22  
0.19  
0.23  
0.20  
0.22  
-13  
1.2 × 10  
320 to 1120  
310  
340  
740  
15 50  
6 * 20 *  
20 100  
– 14  
6.6 × 10  
*
*
320 to 1100  
320 to 1120  
320 to 1100  
960  
980  
960  
20 *  
10  
130 *  
200  
1.12  
-13  
1.3 × 10  
– 14  
8.6 × 10  
780 10 * 30 *  
10 *  
300 *  
0.33  
1
12

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