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S3588-08

更新时间： 2024-11-30 03:34:27
品牌 Logo 应用领域
HAMAMATSU 光电二极管光电二极管传感器
页数 文件大小 规格书
2页 122K
描述
Si PIN photodiode Large area sensors for scintillation detection

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S3588-08 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CERAMIC PACKAGE-2Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.40.60.50风险等级：5.6
其他特性：HIGH SENSITIVITY配置：SINGLE
最大暗电源：10 nA红外线范围：YES
标称光电流：0.1 mA安装特点：THROUGH HOLE MOUNT
功能数量：1最高工作温度：60 °C
最低工作温度：-20 °C光电设备类型：PIN PHOTODIODE
峰值波长：960 nm最小反向击穿电压：100 V
最大反向电压：100 V半导体材料：Silicon
形状：RECTANGULAR尺寸：30 mm
子类别：Photo Diodes表面贴装：NO
Base Number Matches：1

S3588-08 数据手册

 浏览型号S3588-08的Datasheet PDF文件第2页 
P H O T O D I O D E  
Si PIN photodiode  
S2744/S3588-08, -09  
Large area sensors for scintillation detection  
Features  
Applications  
ꢀꢀHigher sensitivity and low dark current than conventional type ꢀꢀScintillation detectors  
ꢀꢀSensitivity matching with BGO and CsI (TI) scintillators  
ꢀꢀHigh quantum efficiency QE=85 % (λ=540 nm)  
ꢀꢀLow capacitance  
ꢀꢀCalorimeters  
ꢀꢀHodoscopes  
ꢀꢀTOF counters  
ꢀꢀHigh-speed response  
ꢀꢀHigh stability  
ꢀꢀAir shower counters  
ꢀꢀParticle detectors, etc.  
ꢀꢀGood energy resolution  
ꢀ General ratings / Absolute maximum ratings  
Absolute maximum ratings  
Power Operating  
dissipation temperature temperature  
Depletion  
layer  
thickness  
Active  
area  
Storage  
Dimensional  
outline  
Window  
material  
Reverse  
voltage  
VR Max.  
Type No.  
P
(mW)  
Topr  
(°C)  
Tstg  
(°C)  
(mm)  
(mm)  
0.3  
S2744-08  
S2744-09  
S3588-08  
S3588-09  
Epoxy resin  
Window-less  
Epoxy resin  
Window-less  
ꢀ
ꢀ
10 × 20  
100  
100  
-20 to +60  
-20 to +80  
3 × 30  
ꢀ Electrical and optical characteristics (Typ. Ta=25 °C, unless otherwise noted)  
Dark  
current  
Short  
circuit  
current  
Isc  
Terminal  
capacitance  
Photo sensitivity  
S
Spectral  
response  
range  
Peak  
sensitivity  
wavelength  
Cut-off  
Temp.  
ID  
Frequency  
Ct  
NEP  
coefficient  
VR=70 V  
Type No.  
f= 1MHz V  
R
=70 V  
fc  
=70 V  
of ID  
TCID  
V
R
R
V =70 V  
λ
λp  
LSO  
BGO  
CsI(Tl) 100 lx Typ. Max.  
λ=λp  
420 nm 480 nm 540 nm  
(times/° C)  
(W/Hz1/2  
)
(A/W)  
0.66  
0.66  
0.66  
0.66  
(nm)  
(nm)  
(A/W)  
0.20  
0.22  
0.20  
0.22  
(A/W)  
0.30  
0.33  
0.30  
0.33  
(A/W)  
0.36  
0.41  
0.36  
0.41  
(µA) (nA) (nA)  
200  
(MHz)  
25  
(pF)  
85  
S2744-08  
S2744-09  
S3588-08  
S3588-09  
-14  
4.7 × 10  
320 to 1100 960  
3
10  
1.12  
90  
40  
40  
12

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