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S35VB60

更新时间： 2024-12-01 09:09:03
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扬杰 - YANGJIE /
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Bridge Rectifier

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S35VB60 数据手册

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S35VB10 THRU S35VB100  
桥式整流器 Bridge Rectifier  
■特征 Features  
■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark  
●
Io  
35A  
S25VB  
●
VRRM  
100V-1000V  
HOLE FOR 10# SCREW  
.661(16.8)  
.622(15.8)  
.200(5.10)  
.212(5.40)  
.
DIA  
●
●
玻璃钝化芯片  
.031  
(0.8)  
Glass passivated chip  
.732(18.6)  
.693(17.6)  
1.263(32.1)  
1.224(31.1)  
耐正向浪涌电流能力高  
.661(16.8)  
.622(15.8)  
High surge forward current capability  
.578(14.7)  
.539(13.7)  
用途 Applications  
■
■
1.263(32.1)  
1.224(31.1)  
.252(6.4)  
.244(6.2)  
●
作一般电源单相桥式整流用  
General purpose 1 phase Bridge  
rectifier applications  
.984  
(25)  
MAX.  
.102(2.6)  
.087(2.4)  
DIA.  
.413(10.5)  
.374(9.5)  
Dimensions for inches and millimeters  
极限值（绝对最大额定值）  
Limiting Values（Absolute Maximum Rating）  
S35VB  
符号 单位  
Symbol Unit  
参数名称  
Item  
条件  
Conditions  
10  
20 40 60 80 100  
反向重复峰值电压  
Repetitive Peak Reverse  
Voltage  
VRRM  
V
A
A
100 200 400 600 800 1000  
用散热器Tc=85℃  
With heat-sink Tc=85℃  
无散热器Ta=40℃  
60Hz正弦波，  
电阻负载  
60Hz sine  
平均整流输出电流  
Average Rectified Output  
Current  
35  
IO  
6.5  
wave, R-load  
Without heatsink Ta=40℃  
正向（不重复）浪涌电流  
Surge(Non-  
repetitive)Forward Current  
正向浪涌电流的平方对电流  
60HZ正弦波，一个周期，Ta=25℃  
60HZ sine wave, 1 cycle, Ta=25℃  
IFSM  
450  
840  
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，单个二极管  
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode  
A2S  
I2t  
浪涌持续时间的积分值  
Current Squared Time  
存储温度  
Tstg  
-40 ~+150  
-40~+150  
2.5  
℃
Storage Temperature  
结温  
Tj  
℃
Junction Temperature  
绝缘耐压  
Dielectric Strength  
端子与外壳之间外加交流电，一分钟  
Terminals to case，AC 1 minute  
Vdis  
KV  
■电特性 （T =25℃ 除非另有规定）  
a
Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified）  
参数名称  
Item  
符号 单位  
Symbol Unit  
测试条件  
Test Condition  
最大值  
Max  
IFM=17.5A, 脉冲测试，单个二极管的额定值  
正向峰值电压  
Peak Forward Voltage  
反向峰值电流  
Peak Reverse Current  
热阻  
VFM  
V
1.05  
I
FM=17.5A, Pulse measurement, Rating of per  
VRM=VRRM ,脉冲测试，单个二极管的额定值  
VRM=VRRM , Pulse measurement, Rating of per diode  
结和管壳之间  
IRRM  
10  
μA  
R
θJ-C  
℃/W  
1.0  
Thermal Resistance  
Between junction and case  
扬州扬杰电子科技股份有限公司  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
Document Number 0072  
Rev. 1.0, 22-Sep-11  
12

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与S35VB60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S35VB80 YANGJIE

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 		Bridge Rectifier
S35VB80 KINGTRONICS

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 		SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS REVERSE VOLTAGE 50 to 100
S36 MICROSEMI

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 		Silicon Power Rectifier
S36 YANGJIE

获取价格

 		SOD-123FL
S-36.04KOHM0.01% VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 6040ohm, 150V, 0.01% +/-Tol, -20,20ppm/Cel, Surface Mount,
S-36.04OHM0.01% VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 6.04ohm, 150V, 0.01% +/-Tol, -50,50ppm/Cel, Surface Mount,
S-36.19KOHM0.01% VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 6190ohm, 150V, 0.01% +/-Tol, -20,20ppm/Cel, Surface Mount,
S-36.19OHM0.01% VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 6.19ohm, 150V, 0.01% +/-Tol, -50,50ppm/Cel, Surface Mount,
S-36.34KOHM0.01% VISHAY

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 		Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 6340ohm, 150V, 0.01% +/-Tol, -20,20ppm/Cel, Surface Mount,
S-36.34OHM0.01% VISHAY

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 		Fixed Resistor, Wire Wound, 3W, 6.34ohm, 150V, 0.01% +/-Tol, -50,50ppm/Cel, Surface Mount,

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