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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.23 | 标称电路换相断开时间： | 30 µs |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | 最大直流栅极触发电压： | 2.5 V |
| 最大维持电流： | 500 mA | 最大漏电流： | 50 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 10500 A | 最大通态电流： | 235000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 断态重复峰值电压： | 1600 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S34DF16A0F | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 225000mA I(T), 1600V V(DRM) |
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| S34DF16B0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 235000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 E |
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| S34DF16B0F | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 225000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 E |
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| S34DFH10B0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| S34DFH10B0F | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| S34DFH12B0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| S34DFH12B0F | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| S34DFH14B0F | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| S34DFH16B0 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| S34DFH16B0F | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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